Rendement de l'amplificateur de classe D
Estime le rendement de l'amplificateur de classe D à partir des pertes de conduction MOSFET et du courant de repos à une puissance de sortie donnée.
Formule
η = P_out / (P_out + P_cond + P_q) × 100%
Comment ça marche
Exemple Résolu
Module de classe D : sortie de 50 W sous 8 Ω. Alimentation : 36 V. MOSFET : 4 × 50 mΩ RDS (activé). Courant de repos : 30 mA. Courant de charge (RMS, 8 Ω) : I_RMS = √ (P/R) = √ (50/8) = 2,5 A Perte de conduction : P_Cond = I²_RMS × R_DS (activé) × N = (2,5) ² × 0,050 × 4 = 1,25 W Perte de repos : P_q = 36 × 0,030 = 1,08 W Pertes totales ≈ 1,25 + 1,08 = 2,33 W (sans tenir compte des pertes de commutation) Puissance d'entrée totale : 50 + 2,33 = 52,33 W Efficacité : 50/52,33 = 95,5 % À une sortie de 5 W (i_RMS = 0,79 A) : P_cond = 0,79² × 0,050 × 4 = 0,125 W ; P_q = 1,08 W Efficacité = 5/(5 + 0,125 + 1,08) = 80,7 % — le repos domine à faible puissance.
Conseils Pratiques
- ✓Pour optimiser l'efficacité à de faibles niveaux d'écoute (une utilisation domestique typique est bien inférieure à la puissance nominale), minimisez le courant de repos en utilisant un circuit intégré de classe D doté d'un mode veille à faible consommation qui réduit la fréquence de commutation ou passe en veille en l'absence de signal.
- ✓Une tension d'alimentation plus élevée réduit le courant efficace pour la même puissance (P = V²/R), réduisant ainsi les pertes de conduction : le doublement de la tension d'alimentation à la même puissance de sortie réduit I_RMS de moitié et réduit de moitié P_cond (relation I²).
- ✓Sélectionnez les MOSFET dont le facteur de mérite R_DS (on) × Q_gate est le plus faible (un chiffre inférieur indique de meilleures performances de commutation). Pour la classe audio D à 400 kHz, un R_DS (activé) inférieur à 20 mΩ avec un Q_gate inférieur à 20 nC est réalisable à un coût modique.
Erreurs Fréquentes
- ✗En supposant un rendement de 100 % et sans budgétisation pour la chaleur, même à 95 % d'efficacité, un ampli de classe D de 200 W dissipe plus de 10 W de chaleur, ce qui nécessite une gestion thermique. À des températures ambiantes élevées, le MOSFET R_DS (activé) augmente (tempco positif), ce qui détériore l'efficacité.
- ✗Ignorer les pertes de commutation dans le modèle : les pertes de commutation évoluent en fonction de la charge de la grille, de la fréquence de commutation et de la tension d'alimentation. À une commutation de 1 MHz, les pertes de commutation peuvent rivaliser avec les pertes de conduction. Ce calculateur utilise un modèle simplifié de conduction et de repos.
- ✗En utilisant le RDS de classe D (activé) de la fiche technique au maximum, les fiches techniques MOSFET fournissent un RDS (activé) à 25 °C. À une température de jonction de 100 °C, le RDS (activé) double généralement. Utilisez la courbe de réduction de la température pour estimer l'efficacité dans le pire des cas.
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