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PCB

Calculadora de resistencias integrada

Calcule la geometría de las resistencias integradas en PCB a partir de la resistencia objetivo y la resistencia de la lámina. Soporta materiales de NiP, TaN, CrSiO y carbono.

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Fórmula

R=R×LWR = R_{\square} \times \frac{L}{W}
RResistance (Ω)
R_□Sheet resistance of resistive film (Ω/□)
LResistor length (mm)
WResistor width (mm)

Cómo Funciona

Las resistencias integradas son películas resistivas delgadas laminadas en capas internas de PCB durante la fabricación. La resistencia sigue la relación fundamental R = R_sheet × (L/W), donde R_sheet es la resistencia de la lámina en ohmios por cuadrado y L/W es el número de cuadrados. Un «cuadrado» es cualquier rectángulo de igual longitud y ancho; un cuadrado de 1 × 1 mm tiene la misma resistencia que un cuadrado de 10 × 10 mm del mismo material.

Los materiales resistivos más comunes incluyen el níquel-fósforo (NiP, de la marca Ohmega-Ply), disponible a 25-100 Ω/□ con una tolerancia de ± 10% al grabado, el nitruro de tántalo (TaN) a 25-100 Ω/□ con una tolerancia de ± 5%, y el óxido de cromo-silicio (CrSiO) a 250—1000 Ω/□ para resistencias de alto valor. El recorte con láser después de la fabricación puede reducir la tolerancia entre un 1 y un 2% al cortar una ranura serpentina en la película.

La consideración clave del diseño es que el recorte con láser solo puede aumentar la resistencia: elimina el material. Por lo tanto, las resistencias integradas se diseñan entre un 10 y un 20% por debajo del valor objetivo y luego se recortan. El margen de ajuste determina directamente la geometría del diseño: un objetivo de 100 Ω con un margen del 10% se diseña a 90 Ω, lo que requiere 3,6 cuadrados (a 25 Ω/□) en lugar de 4,0.

Ejemplo Resuelto

Dado: Resistencia objetivo = 100 Ω, material NiP (25 Ω/□), ancho de resistencia = 1,0 mm, margen de ajuste = 10% Paso 1: Número de cuadrados para el objetivo Nsquares= fracRtargetRsheet= frac10025=4.0N_ {squares} =\ frac {R_ {target}} {R_ {sheet}} =\ frac {100} {25} = 4.0 cuadrados Paso 2: Longitud de la resistencia para el objetivo L=Ncuadrados timesW=4.0 times1.0=4.0L = N_ {cuadrados}\ times W = 4.0\ times 1.0 = 4.0 mm Paso 3: Resistencia de diseño (prerecorte) Rdesign=Rtarget times(1 fractrim%100)=100 times0.90=90R_ {design} = R_ {target}\ times (1 -\ frac {trim\%} {100}) = 100\ times 0.90 = 90 Ω Paso 4: Diseño geométrico Ndesign= frac9025=3.6N_ {design} =\ frac {90} {25} = 3.6 cuadrados Ldisen~o=3.6 times1.0=3.6L_ {diseño} = 3.6\ times 1.0 = 3.6 mm Paso 5: Manejo de la energía

Área = 1,0 × 4,0 = 4,0 mm². Densidad de potencia de NiP = 25 mW/mm².

Pmax=4.0 times25=100P_ {max} = 4.0\ times 25 = 100 mW Paso 6: Tolerancia sin recorte

NiP tal como está grabado: ± 10%. Con corte láser: ± 5% (reducido a la mitad, tapado al 5%).

Resultado: Diseñe una resistencia de 3,6 × 1,0 mm y, a continuación, recórtela con láser a 100 Ω. Disipación máxima de 100 mW.

Consejos Prácticos

  • Utilice 25 Ω/□ NiP para un rango de 10 a 500 Ω, 100 Ω/□ para 100 a 2000 Ω y 1000 Ω/□ CrSiO para entre 1000 y 50 000 Ω para mantener las relaciones de aspecto entre 0, 5:1 y 10:1
  • El ancho mínimo debe ser 10 veces mayor que la tolerancia de grabado; para un grabado de ± 0,025 mm, utilice un ancho de ≥ 0,25 mm
  • Coloque las resistencias integradas en las capas internas alejadas de la superficie de la placa para evitar la tensión mecánica provocada por la soldadura de los componentes
  • Especifique siempre el margen de corte en el plano de fabricación; la fábrica necesita conocer el desfase entre el diseño y el objetivo
  • Para aplicaciones de precisión (< ± 1%), utilice material TaN y especifique un recorte láser al 100% en las notas de fabricación

Errores Comunes

  • Diseñar con el valor objetivo exacto: el recorte solo puede aumentar la resistencia, por lo que la resistencia tal como se fabricó debe estar por debajo del objetivo para permitir el recorte
  • Usar un ancho de resistencia demasiado estrecho: la tolerancia de grabado (normalmente ± 0,025 mm) tiene un efecto proporcionalmente mayor en las resistencias estrechas, lo que aumenta la variación
  • Relación de aspecto superior a 10:1 sin diseño serpentino: las resistencias largas y delgadas son frágiles y propensas a agrietarse durante el ciclo térmico
  • Ignorando el coeficiente de temperatura: NiP tiene un TCR de +50-100 ppm/°C; una resistencia de 100 Ω cambia un 0,5% de 25 °C a 75 °C

Preguntas Frecuentes

El rango práctico depende del material: el NiP a 25 Ω/□ maneja de 5 a 2500 Ω (de 0,2 a 100 cuadrados). El CrSiO a 1000 Ω/□ soporta entre 1 000 y 100 000 Ω. Por debajo de 5 Ω se requieren geometrías extremadamente anchas; por encima de 100 000 Ω se requieren patrones serpentinos poco prácticos.
Tal como está grabado: ± 10— 20% (peor que un 5% discreto). Después del corte con láser: ± 1— 2% (comparable a los discretos de película delgada de precisión). La ventaja es la eliminación de las uniones soldadas, la reducción de la inductancia parásita y el ahorro de superficie de la placa.
Sí, las resistencias integradas tienen una inductancia parásita extremadamente baja (< 0,1 nH) en comparación con las discretas (0,5 a 2 nH). Esto las hace excelentes para terminaciones de RF, atenuadores y redes de polarización de hasta más de 40 GHz.
Nip: 25 mW/mm². Tanque: 50 mW/mm². Carbono: 10 mW/mm². Estos se reducen con respecto al límite térmico de la película debido a la resistencia térmica del dieléctrico circundante. Verifique siempre que la resistencia térmica a nivel de la placa pueda disipar el calor.
Por lo general, se agrega entre un 15 y un 40% al costo de la placa base para la laminación de la capa resistiva y un 20— 50% más si se especifica el recorte por láser. Resulta económico a la hora de reemplazar más de 20 resistencias discretas (ahorra el costo de recoger y colocar, el área de la placa y el riesgo de confiabilidad de las juntas de soldadura).

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