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Sélection de MOSFET H-Bridge

Calculez les exigences relatives aux MOSFET à pont en H, y compris le courant de pointe, les pertes de conduction et le courant nominal minimum pour les pilotes de moteurs à courant continu.

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Formule

I_peak = I_rated × k, P_cond = I²× R_DS(on)

kInrush multiplier (×)
R_DSMOSFET on-resistance (Ω)

Comment ça marche

Un pont en H est un circuit d'alimentation composé de quatre commutateurs (généralement des MOSFET) disposés pour laisser passer un courant bidirectionnel à travers un moteur à courant continu. En activant les paires diagonales, le pont entraîne le courant dans les deux sens, ce qui permet d'avancer, de reculer et de freiner. Les principaux paramètres de sélection sont les suivants : courant de drain continu (I_D) ≥ 1,5 fois le courant nominal du moteur, tension nominale drain-source (V_DS) ≥ 2 fois la tension d'alimentation, résistance à l'état passant (R_DS (on)) pour minimiser les pertes par conduction et charge de grille (Q_g) compatible avec la capacité d'entraînement du pilote de grille.

Exemple Résolu

Sélectionnez des MOSFET pour un pont en H pilotant un moteur continu de 24 V, 10 A avec un appel de pointe de 30 A. Étape 1 — Tension nominale (2 x déclassement) : V_DS ≥ 2 × 24 = 48 V → utilise des MOSFET nominaux de 60 V Étape 2 — Courant nominal (1,5 × continu + pic de poignée) : I_D_Cont ≥ 1,5 × 10 = 15 A en continu I_D_peak ≥ 30 A (pour l'appel) → Sélectionnez un MOSFET d'une puissance nominale de 40 A en continu/100 A en pointe Étape 3 — Perte de conduction par MOSFET au courant nominal : Supposons que R_DS (activé) = 8 mΩ à 100 °C (par exemple, IRFB3207) P_cond = I² × R_DS (activé) = 10² × 0,008 = 0,8 W par FET Total pour 4 FET (2 conducteurs à tout moment) : 2 × 0,8 = 1,6 W Étape 4 — Exigences relatives au conducteur du portail : Q_g = 70 nC (typique pour cette classe de FET) À 20 kHz PWM, puissance d'entraînement de grille : P_g = Q_g × V_gs × f = 70e-9 × 12 × 20000 = 16,8 mW par FET → négligeable Étape 5 — Temps mort requis : t_dead > t_fall + marge = 50 ns + 20 ns = 70 ns minimum (défini sur 100 ns) Résultat : les MOSFET 60 V/40 A avec R_DS (activé) < 10 mΩ (par exemple, IRFB3207, STP60NF06) conviennent. Ajoutez un circuit intégré de pilote de porte dédié (par exemple, IR2104) avec un lecteur Bootstrap High-Side.

Conseils Pratiques

  • Utilisez un circuit intégré de commande de porte en H dédié (par exemple, DRV8876, L298N, IR2104) plutôt qu'une logique discrète : ils offrent une protection contre les accès, une insertion en temps mort et un lecteur d'amorçage côté haut approprié
  • Placer des condensateurs de découplage en céramique de 100 nF aussi près que possible de chaque source de drain MOSFET pour supprimer les transitoires de commutation ; ajouter un électrolytique en vrac de 100 à 470 µF sur les rails d'alimentation
  • Pour les circuits intégrés à pont en H (L298N, DRV8833), vérifiez le R_DS (on) des commutateurs internes : de nombreux pilotes intégrés ont une résistance à l'état passant de 1 à 3 Ω, ce qui entraîne une chute de tension importante et un échauffement à des courants supérieurs à 2 à 3 A

Erreurs Fréquentes

  • Choisir des MOSFET conçus exactement à la tension d'alimentation : les pics de tension dus à la commutation par inductance du moteur (L×Di/dt) dépassent facilement la tension d'alimentation en courant continu ; déclarez toujours V_DS à au moins 2 fois
  • Omission des diodes flyback (roue libre) — Les MOSFET sont dotés de diodes corporelles qui fonctionnent pendant les temps morts, mais les diodes Schottky discrètes à haute vitesse réduisent le temps de récupération et les pertes de commutation dans les applications à courant élevé
  • Utilisation d'une seule résistance de grille partagée pour les quatre MOSFET : chaque porte a besoin de sa propre résistance pour empêcher les oscillations parasites et permettre un réglage indépendant de la vitesse de commutation

Foire Aux Questions

La transmission se produit lorsque les MOSFET du côté haut et du côté bas d'une même branche de pont sont activés simultanément, ce qui crée un court-circuit entre l'alimentation et la terre. Il est évité en insérant un temps mort (généralement de 50 à 200 ns) entre la désactivation d'un FET et l'activation de l'autre. Les circuits intégrés de commande modernes à pont en H implémentent automatiquement le temps mort.
Les circuits intégrés à pont en H (DRV8876, TB6612FNG, L298N) sont pratiques pour des courants allant jusqu'à 3 à 5 A et offrent une protection intégrée. Pour les moteurs de plus de 5 A, les MOSFET discrets dotés d'un circuit intégré de commande de grille offrent un R_DS (activé) plus faible, une meilleure gestion thermique et une flexibilité totale en termes de temps mort et de vitesse de commutation.
Les pertes liées à l'entraînement de la grille, le courant de repos du circuit intégré du pilote et les fuites à travers les diodes du corps contribuent tous au chauffage au ralenti. Le PWM haute fréquence à un rapport cyclique élevé de près de 50 % maximise les pertes de commutation. La réduction de la fréquence PWM au minimum pour éviter les bruits audibles réduit généralement considérablement l'échauffement du pilote.

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