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ESDクランプダイオード選定

IEC 61000-4-2準拠のESD保護のためのクランプダイオードのピーク電流、電力損失、クランプ比を計算します。

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公式

I_pk = (V_ESD − V_cl) / Z, P_pk = V_cl × I_pk

V_clClamp voltage (V)
ZDischarge path impedance (Ω)

仕組み

ESD(静電放電)クランプダイオードは、敏感なICを最大定格を超える電圧トランジェントから保護します。標準的な ESD イベント (IEC 61000-4-2 レベル 4: ±8 kV 接点) では、放電電流は直列パスのインピーダンス Z (HBM または接触放電モデルでは通常330 Ω) を流れます。ピーク・クランプ電流はI_PK = (V_ESD − V_CL) /Zです。ここで、V_CLはピーク電流におけるTVSダイオードのクランプ電圧です。クランプで消費されるピーク電力は P_PK = V_CL × i_PK です。ICが動作するためには、クランプ電圧 (V_CL) がICの絶対最大定格を下回っている必要があります。クランプ比 V_cl/V_ESD は、デバイスのクランプ効率を示します。比率が低い (0.01未満) と、効果的なクランプが可能になります。

計算例

問題:IEC 61000-4-2レベル2の接触ESDイベント(V_ESD = 4kV)が、V_CL = 15V、直列インピーダンスが330ΩのTVSクランプで保護されているUSBラインに衝突します。ピーク電流、ピーク電力、およびクランプ比を計算します。
解決策:
1。ピーク電流: i_PK = (4000 − 15) /330 = 3985/330 = 12.1 A
2.ピークパワー: P_PK = 15 × 12.1 = 181 W
3.クランプ比: V_CL/V_ESD = 15/4000 = 0.00375
結果: TVS クランプは 181 W のピーク電流を消費し (ただし、約 1 ns の間だけ)、ラインを 15 V にクランプします。IC が保護ピンの 15 V を許容することを確認してください。クランプ比が低い (0.37%) ため、効果的な抑制が確認されています。

実践的なヒント

  • IEC 61000-4-2レベル4(±8 kV)の場合は、ピークパルス電流定格が15A以上(該当するパルス幅で)で、十分な余裕があるTVSを選択してください。
  • 多端子 (USB、HDMI、イーサネット) のインタフェースにはマルチチャンネルTVSアレイを使用することで、基板スペースを節約し、ルーティングインダクタンスを低減できます。
  • コネクタとTVSの間に小さな直列抵抗(10〜47Ω)を追加すると、TVSにかかるdV/dtストレスが軽減され、ESD制限を満たすのに役立ちます。

よくある間違い

  • ピーク電流でのクランプ電圧を確認せずに、スタンドオフ電圧のみに基づいてTVSダイオードを選択する場合、V_CLは常にスタンドオフ電圧よりも高くなります。
  • 高速回線のTVSダイオードの静電容量は無視してください。USB 3.0またはHDMIには低容量のTVS(0.5pF未満)が必要です。
  • ESD クランプをコネクタから遠ざけて配置します。コネクタとクランプの間に mm のトレースがあるごとに、ESD スパイクが伝播します。クランプはコネクタから 2 mm 以内に配置してください。

よくある質問

ESD TVSクランプは、非常に短いパルス(100ns未満)での非常に速い立ち上がり時間(1ns未満)と高いピーク電流(1~30A)に最適化されています。サージTVSは、より長いパルス (ミリ秒) をより高いエネルギーで処理します。どちらも双方向TVSダイオードですが、さまざまな脅威プロファイルに対応するサイズになっています。
IEC 61000-4-2 (接触放電) では、ヒューマンボディモデル (HBM、1500Ω/100pF) よりも立ち上がり時間が短く (約1ns)、ピーク電流も大きい330Ω/150pFのモデルを使用しています。IEC 61000-4-2はより厳しく、システムレベルのテストに使用され、HBMはコンポーネントレベルのテストに使用されます。
お勧めしません。ツェナーダイオードは高速トランジェントには最適化されていません。TVS ダイオード (1 ns未満) に比べて応答時間が遅い (通常10 ns以上) からです。ESD保護には、特定のESDモデルとエネルギーレベルに対応した定格のTVSを使用してください。

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