스트레인 게이지 브리지 계산기

스트레인 게이지의 휘트스톤 브리지 출력 전압을 계산합니다.구조 모니터링 및 로드셀 설계를 위한 쿼터, 하프 및 풀 브리지 구성을 지원합니다.

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공식

V_{out} = V_{in} \cdot \frac{GF \cdot \varepsilon}{4} \cdot N

V_out — Bridge output voltage (V)

V_in — Excitation voltage (V)

GF — Gauge factor

ε — Applied strain (m/m) (m/m)

N — Number of active arms (1, 2, or 4)

작동 방식

스트레인 게이지 브리지 회로는 기계적 스트레인을 전기 신호로 변환하는 데 사용되는 정교한 트랜스듀서 구성입니다.이 회로는 일반적으로 저항성 스트레인 게이지가 적용된 기계적 응력에 비례하여 치수 변화를 경험하는 휘트스톤 브리지 배열을 사용합니다.브리지 양단의 전압 차이를 측정하여 스트레인을 정밀하게 측정할 수 있습니다.

계산 예제

문제: 2V 구동, 게이지 계수 2.1, 스트레인 0.001m/m의 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지의 출력 전압을 계산하십시오.

해결 방법: 1.게이지 팩터 (GF) = 2.1

2.구동 전압 (Vin) = 2V

3.스트레인 (θ) = 0.001 m/m

4.활성 무기 개수 (N) = 4

5.볼트 = 2V * (2.1 * 0.001/4) * 4 = 0.00210V 또는 2.10mV

실용적인 팁

✓중요한 측정 전에 스트레인 게이지 브리지를 교정하십시오.
✓브리지 네트워크에서 온도에 안정적인 저항기를 사용하십시오.
✓재료 특성에 따라 적절한 게이지 계수를 선택합니다.

흔한 실수

✗스트레인 측정 시 온도 보상 무시
✗특정 재질에 잘못된 게이지 계수 사용
✗브리지 구성 민감도를 고려하지 않음

자주 묻는 질문

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