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Calculadora de constante dieléctrica efectiva (Microstrip)

Calcule la constante dieléctrica efectiva de microstrip μeff con Hammerstad—Jensen, más la dispersión de Getsinger, la velocidad de propagación, el retraso en ps/mm y ps/pulgada y la longitud de onda guiada.

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Fórmula

εeff=εr+12+εr−12(1+10u)−a(u) b(εr),u=weffh\varepsilon_{\text{eff}} = \frac{\varepsilon_r + 1}{2} + \frac{\varepsilon_r - 1}{2}\left(1 + \frac{10}{u}\right)^{-a(u)\,b(\varepsilon_r)},\qquad u = \frac{w_{\text{eff}}}{h}

Referencia: E. Hammerstad & Ø. Jensen, "Accurate Models for Microstrip Computer-Aided Design", IEEE MTT-S 1980; W. J. Getsinger, "Microstrip Dispersion Model", IEEE Trans. MTT-21, 1973

εeff— Constante dieléctrica efectiva vista por la onda
εr— Permitividad relativa del sustrato
w— Ancho de traza (mm)
h— Altura dieléctrica con respecto al plano de referencia (mm)
t— Grosor del cobre (amplía la traza efectiva) (mm)
q— Factor de llenado, (εeff−1)/(εr−1)
tpd— Retardo de propagación, √εeff/c (ps/mm)

Cómo Funciona

Una microtira es una estructura dieléctrica mixta. La traza se asienta sobre el laminado con un plano de referencia por debajo, pero por encima de la traza está el aire. Por lo tanto, las líneas de campo se dividen entre dos medios de diferente permitividad, y la onda se propaga como si viajara en un único medio uniforme de algún valor intermedio εeff\varepsilon_{eff}, estrictamente delimitado por 1<εeff<εr1 < \varepsilon_{eff} < \varepsilon_r. Cada número que depende de la velocidad (retardo de propagación, longitud de onda guiada, longitud del tubo, longitud eléctrica de una sección correspondiente) depende del εeff\varepsilon_{eff} y no del laminado εr\varepsilon_r impreso en la hoja de datos.

Hammerstad y Jensen ajustaron el εeff\varepsilon_{eff} a la solución exacta del campo cuasiestático en función de un único parámetro de forma u=w/hu = w/h, con un exponente dependiente del εr\varepsilon_r. Su forma cerrada es de aproximadamente un 1% respecto a 0.05≤u≤200.05 \le u \le 20 y εr≤12\varepsilon_r \le 12, lo que abarca prácticamente todo el trabajo en circuitos impresos. El grosor del cobre es lo primero cuando se aumenta el ancho efectivo Δw=(t/π)ln⁡(1+2h/t)\Delta w = (t/\pi)\ln(1 + 2h/t), ya que un conductor con un grosor real presenta una pared lateral adicional al campo; ignorándolo exagera notablemente el Z0Z_0 en el caso del cobre pesado.

Dos límites confirman que el modelo está haciendo los cálculos físicos correctos. Como w/h→0w/h \to 0, la traza apenas altera la interfaz aire-dieléctrica y εeff→(εr+1)/2\varepsilon_{eff} \to (\varepsilon_r + 1)/2, la media aritmética de los dos semiespacios. En w/h→∞w/h \to \infty, el campo se comprime completamente en el sustrato y en εeff→εr\varepsilon_{eff} \to \varepsilon_r, el límite de las placas paralelas, donde una microtira se comporta como una línea de banda. Entre ellas, el factor de relleno q=(εeff−1)/(εr−1)q = (\varepsilon_{eff} - 1)/(\varepsilon_r - 1) indica directamente qué fracción de la energía del campo se encuentra dentro del laminado.

El resultado cuasiestático es independiente de la frecuencia, lo que no es del todo cierto. A medida que la frecuencia aumenta, el campo se concentra aún más en el sustrato de mayor permitividad y el εeff\varepsilon_{eff} asciende monótonamente hacia el εr\varepsilon_r. El modelo de Getsinger lo describe como εeff(f)=εr−(εr−εeff)/(1+G(f/fp)2)\varepsilon_{eff}(f) = \varepsilon_r - (\varepsilon_r - \varepsilon_{eff})/(1 + G(f/f_p)^2) con fp=Z0/(2μ0h)f_p = Z_0/(2\mu_0 h) y G=0.6+0.009Z0G = 0.6 + 0.009 Z_0. La corrección se ajusta a los apartados (fh)2(f h)^2, por lo que es inferior al 1% en láminas delgadas por debajo de aproximadamente 10 GHz y se convierte en varios puntos porcentuales en sustratos gruesos o por encima de aproximadamente 15 GHz.

Ejemplo Resuelto

Dado: w=0.3w = 0.3 mm, h=0.2h = 0.2 mm, εr=4.3\varepsilon_r = 4.3 (FR-4), t=35t = 35 µm (1 oz), f=1f = 1 GHz Paso 1: Corrección del grosor hasta el ancho efectivo Δw=tπ(1+ln⁡2ht)=0.035π(1+ln⁡0.40.035)=0.011141×(1+2.43612)=0.03828\Delta w = \frac{t}{\pi}\left(1 + \ln\frac{2h}{t}\right) = \frac{0.035}{\pi}\left(1 + \ln\frac{0.4}{0.035}\right) = 0.011141 \times (1 + 2.43612) = 0.03828 mm weff=0.3+0.03828=0.33828w_{eff} = 0.3 + 0.03828 = 0.33828 mm, entonces u=weff/h=1.69141u = w_{eff}/h = 1.69141 Paso 2: Forma los términos de Hammerstad—Jensen a=1+149ln⁡u4+(u/52)2u4+0.432+118.7ln⁡(1+(u18.1)3)=0.998997a = 1 + \frac{1}{49}\ln\frac{u^4 + (u/52)^2}{u^4 + 0.432} + \frac{1}{18.7}\ln\left(1 + \left(\frac{u}{18.1}\right)^3\right) = 0.998997 b=0.564(εr−0.9εr+3)0.053=0.564×(0.465753)0.053=0.541619b = 0.564\left(\frac{\varepsilon_r - 0.9}{\varepsilon_r + 3}\right)^{0.053} = 0.564 \times (0.465753)^{0.053} = 0.541619 Paso 3: Constante dieléctrica efectiva εeff=εr+12+εr−12(1+10u)−ab\varepsilon_{eff} = \frac{\varepsilon_r + 1}{2} + \frac{\varepsilon_r - 1}{2}\left(1 + \frac{10}{u}\right)^{-ab} =2.65+1.65×(6.91224)−0.541076=2.65+1.65×0.35131=3.2296814465543817= 2.65 + 1.65 \times (6.91224)^{-0.541076} = 2.65 + 1.65 \times 0.35131 = 3.2296814465543817

Control de cordura con respecto a los límites: (εr+1)/2=2.65(\varepsilon_r + 1)/2 = 2.65 y εr=4.3\varepsilon_r = 4.3. El resultado está entre ellos, como debe ser.

Paso 4: factor de llenado e impedancia q=εeff−1εr−1=2.22968143.3=0.6756610444104187q = \frac{\varepsilon_{eff} - 1}{\varepsilon_r - 1} = \frac{2.2296814}{3.3} = 0.6756610444104187 Z0=54.36834333422282Z_0 = 54.36834333422282 Ω : aproximadamente dos tercios de la energía del campo se encuentran dentro del laminado. Paso 5: Propagación vp=cεeff=c1.79713=55.64423238564186 %v_p = \frac{c}{\sqrt{\varepsilon_{eff}}} = \frac{c}{1.79713} = 55.64423238564186\ \% de cc tpd=εeffc=1.797130.299792458 mm/ps=5.994585258834897t_{pd} = \frac{\sqrt{\varepsilon_{eff}}}{c} = \frac{1.79713}{0.299792458\ \text{mm/ps}} = 5.994585258834897 ps/mm

En unidades imperiales: 5.994585×25.4=152.262465574406385.994585 \times 25.4 = 152.26246557440638 ps/pulgada, la conocida expresión «unos 150 ps por pulgada» para la FR-4 microstrip.

Paso 6: Dispersión y longitud de onda guiada a 1 GHz fp=Z02μ0h=54.36832×4π×10−7×0.2×10−3=1.0817×1011f_p = \frac{Z_0}{2\mu_0 h} = \frac{54.3683}{2 \times 4\pi \times 10^{-7} \times 0.2 \times 10^{-3}} = 1.0817 \times 10^{11} Hz

A 1 GHz, la relación f/fpf/f_p es de 0,00924, por lo que la corrección es insignificante: εeff(f)=3.22978109571598\varepsilon_{eff}(f) = 3.22978109571598, un cambio de solo el 0,0031%.

λg=cfεeff(f)=166.81463855984217\lambda_g = \frac{c}{f\sqrt{\varepsilon_{eff}(f)}} = 166.81463855984217 mm, por lo que una sección de un cuarto de onda es 41.7036596399605441.70365963996054 mm. Resultado: εeff=3.2297\varepsilon_{eff} = 3.2297, 55,6% de la velocidad de la luz, 152,3 ps/pulgada y un cuarto de onda de 41,7 mm a 1 GHz.

Consejos Prácticos

  • ✓Compara cualquier resultado de épsilon-eff con los dos límites: debe estar entre (épsilon-r + 1) /2 y épsilon-r. Un valor fuera de ese rango significa un error unitario o geométrico, no un modelo marginal
  • ✓Utilice el factor de llenado para analizar la tolerancia: un cambio en el laminado epsilon-r mueve el épsilon-eff aproximadamente q veces ese cambio, por lo que una línea con q = 0,68 reduce aproximadamente dos tercios de cualquier variación de laminado a su presupuesto de retraso
  • ✓Indique el retraso en ps/pulgada cuando hable con los ingenieros de integridad de la señal y en ps/mm cuando realice operaciones aritméticas de diseño. Ambos son el mismo número con una escala de 25,4, y mezclarlos es una fuente común de errores de coincidencia de longitud
  • ✓Los trazos más anchos generan efecto épsilon, lo que significa que el retraso de una línea de impedancia controlada no es constante en una placa con geometrías mixtas. Cuando las anchuras son diferentes, la longitud coincide con el retardo, no con la longitud física
  • ✓Para estructuras de frecuencia crítica sobre un sustrato grueso, ejecute el cálculo a su frecuencia de operación en lugar de a corriente continua. La salida de dispersión le indica inmediatamente si es importante o si puede ignorarse

Errores Comunes

  • ✗Uso del laminado epsilon-r en lugar de epsilon-eff para los cálculos de longitudes de onda y longitudes de onda; en el FR-4, se obtiene un trozo de un cuarto de onda aproximadamente un 13 por ciento más corto, lo suficiente como para mover el borde de un filtro cientos de MHz
  • ✗Suponiendo que la microtira y la línea de banda tienen el mismo retraso en el mismo laminado, una línea de banda está completamente enterrada, por lo que su épsilon-eff es exactamente igual a épsilon-r, lo que la hace aproximadamente un 15 por ciento más lenta que una microtira sobre un material idéntico
  • ✗Ignorar el grosor del cobre en las acumulaciones de cobre pesado: el cobre de 2 onzas agrega un ancho efectivo sustancial y, al omitirlo, exagera el Z0 en varios puntos
  • ✗Al aplicar el valor cuasiestático a frecuencias de onda milimétrica (por encima de aproximadamente 15 GHz) o en un sustrato grueso, epsilon-eff sube de manera apreciable hacia epsilon-r y el número estático predice subestimando el retraso
  • ✗Olvidando la máscara de soldadura: la máscara es aproximadamente épsilon-r 3.5 y reemplaza el aire por encima del trazo, lo que aumenta el eff de épsilon entre un 2 y un 5 por ciento y reduce el Z0 en una cantidad similar en una línea típica de 50 ohmios

Preguntas Frecuentes

Porque una microtira solo está medio enterrada. Parte del campo viaja por el aire por encima de la traza, donde la permitividad es 1, lo que hace que el promedio baje. Una línea de banda está completamente rodeada de dieléctricos, por lo que su épsilon-eff es exactamente igual a épsilon-r y, en consecuencia, es más lenta.
Una microbanda de 50 ohmios en el Epsilon-r FR-4 4.3 suele oscilar entre 3,0 y 3,4, según la relación entre ancho y alto. Las trazas más anchas introducen más campo en el sustrato y elevan la efi- sión épsilónica; las trazas angostas permiten que entre más campo en el aire y lo hacen descender.
La longitud física se escala como 1 sobre la raíz cuadrada de épsilon-eff. A 2,4 GHz, un cuarto de onda en el espacio libre mide 31,2 mm; en el FR-4 microstrip con un efecto épsilon de 3,23, se reduce a 17,38 mm. Si en vez de épsilon-r = 4,3 se obtienen 15,06 mm, un error del 13,3 por ciento.
La corrección se escala con el cuadrado de la frecuencia multiplicado por la altura del sustrato. En un sustrato de 0,2 mm, está muy por debajo del 1 por ciento hasta 10 GHz y puede ignorarse. En un sustrato de 1,6 mm, o por encima de aproximadamente 15 GHz en cualquier pila, el epsilon-eff puede subir varios puntos porcentuales hacia el epsilon-r y debe usarse en estructuras críticas para la longitud de onda.
q = (épsilon-eff menos 1) dividido por (épsilon-r menos 1) indica qué fracción de la energía del campo está dentro del sustrato. Resulta práctico para el análisis de sensibilidad: una tolerancia laminada de más o menos 0,2 en épsilon-r desplaza el épsilon-eff aproximadamente q veces 0,2, lo que repercute directamente en tu balance de retardo e impedancia.
Sí. Soldermask es aproximadamente épsilon-r 3.5 y reemplaza parte del aire que está por encima de la traza, lo que aumenta el efecto de épsilon entre un 2 y un 5 por ciento y reduce el Z0 en una cantidad similar en una línea típica de 50 ohmios. Esta calculadora modela microbanda desnuda; para una línea enmascarada, utilice el modo de microbanda integrado de la calculadora de impedancia controlada.

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