MOSFETオペレーション・ポイント・カリキュレータ
NMOSトランジスタのMOSFETドレイン電流、飽和電圧、トランスコンダクタンス、および動作領域 (カットオフ、三極管、飽和) の計算
公式
I_D = k_n/2 × (V_GS−V_th)² (sat), I_D = k_n × [(V_GS−V_th)V_DS − V_DS²/2] (triode)
仕組み
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の動作点は、トランジスタの基本的な動作状態を確立するDCバイアス条件を表します。この場合の主なパラメータには、デバイスがカットオフ領域、リニア領域、または飽和領域にあるかどうかを決定するドレイン-ソース間電圧 (VDS)、ゲート-ソース間電圧 (VGS)、およびドレイン電流 (ID) が含まれます。トランジスタが設計した性能範囲内で動作し、シグナルインテグリティを維持するためには、動作点を理解することが重要です。
計算例
実践的なヒント
- ✓詳細な計算を行う前に、必ずトランジスタの動作領域を確認してください
- ✓メーカーのデータシートを使用して正確なパラメータ値を確認してください
- ✓トランジスタの特性に対する温度の影響を考慮してください
- ✓高出力アプリケーションで自己発熱が発生する可能性をチェック
よくある間違い
- ✗トランジスタの動作領域の誤った解釈
- ✗温度係数の変動を無視する
- ✗特定のデバイス特性の代わりに汎用パラメーターを使用する
- ✗寄生容量効果の見落とし
よくある質問
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