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BJT トランジスタバイアスポイント計算ツール

コレクタ電流、ベース電圧、VCE、電力損失、および動作領域を含むBJT分圧器のバイアスのQ点を計算

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公式

Vth=VCC×R2/(R1+R2),IC=(VthVBE)/(RE+Rth/β)V_th = V_CC × R2/(R1+R2), I_C = (V_th − V_BE) / (R_E + R_th/β)
V_thテブナンベース電圧 (V)
R_thテブナン塩基抵抗 (Ω)
I_Cコレクタ電流 (A)
V_CEコレクター-エミッター間電圧 (V)
β電流ゲイン

仕組み

BJTバイアスポイント計算機は、オーディオアンプ、RFステージ、およびディスクリートトランジスタ回路に不可欠なリニアアンプ設計のDC動作点(Qポイント)を計算します。アナログ設計者、オーディオエンジニア、RF エンジニアは、これを使用してリニア動作用のコレクタ電流 (Ic)、ベース電流 (Ib)、およびコレクタ-エミッタ間電圧 (Vce) を計算します。ホロウィッツ&ヒルの「アート・オブ・エレクトロニクス」(第3版、第2章)によると、Qポイントは小信号パラメータを決定します。トランスコンダクタンスgm = ic/25mV(25°C)、入力インピーダンスr_π = β/gm、電圧ゲインAv =-gm×RCです。ベータ(βまたはhFe)は一般的なトランジスタでは50~300の変動があり、60°Cの温度上昇ごとに2倍変化するため、安定した動作にはベータに依存しないバイアス(分圧器バイアス)が不可欠です。

計算例

2N3904 (β = 100-300、通常は200)、Vcc = 12V を使用して、Ic = 1mA、Vce = 6V のコモンエミッタアンプを設計します。分圧器バイアスは安定性をもたらします。Vce = 6V (最大振幅は Vcc の 50%) を選択します。Rc = (Vcc-Vce-Ve)/(Ic); 熱安定性を得るには Ve = 1V を選択してください (熱電圧の 10 倍)。Rc = (12V-6V-1V) /1mA = 5kΩ赤 = 1V/1mA = 1kΩ。ベータ・ステーブル・バイアスの場合、分圧器電流 = 10×Ib = 10× (1mA/200) = 50μAです。Vb = Ve + 0.7V = 1.7VR2 = 1.7V/50μA = 34kΩ → 33kΩ (E24)。R1 = (12V-1.7V) /50μA = 206kΩ → 200kΩ (E24)。βの変動が100~300の場合、JEDECのアプリケーションガイドラインに従ってこのトポロジを使用しても、Icの変動はわずか± 10% です。

実践的なヒント

  • ベータ安定動作を実現するには、分圧器電流= 10×Ibの分圧器バイアスを使用してください。これにより、Vbはトランジスタのベータではなく分圧器によって設定されます。
  • 熱安定性のためにエミッタ抵抗Reを内蔵しています。Re全体で1V降下すると熱暴走が制限されます。AC ゲインを維持するために 10 μF コンデンサでバイパスします。
  • オーディオステージの場合、最適なノイズ性能を得るにはIc = 1-5mAのバイアスが必要です。2N3904は、ON SemiデータシートあたりIc = 100μAで1.4dBの最小ノイズ指数を達成します

よくある間違い

  • 固定ベースバイアスの使用 (Rbのみ) — Icはβによって直接変化し、3倍のベータスプレッドでは3倍の電流変動が生じます。± 10% の安定性を確保するには、必ず分圧バイアスを使用してください。
  • エミッタの変性なしにVceをVcc/2に設定すると、熱暴走が発生する可能性がある。負帰還と熱安定性を実現するRe = 0.5-1V/Icを含む
  • Vbeの温度係数を無視 — Vbeは2mV/℃低下し、50℃上昇するとVbeは100mV低下し、補償なしでIcが100mV/RE増加する

よくある質問

バイアスをかけると、アクティブ領域での線形動作の DC 動作点 (Ic, Vce) が設定されます。適切なバイアスがないと、トランジスタはカットオフ (出力なし) または飽和 (クリップ出力) のどちらかになります。クラスAのオーディオの場合、QポイントはVccの 50% で、ICを所望のgm = 25°CでIC/26mVに設定する必要があります。
Vbeは2mV/℃低下し (Icは増加し)、βは約 0.5% /℃上昇します。これらを合わせると、Icは安定せずに35~50℃あたり2倍になります。エミッタ変性抵抗 Re は負のフィードバックとなり、ΔIC×Re は Vbe の変化に対抗します。50°Cの範囲で 10% 未満のIcドリフトを実現するには、Veが1V以上になるように設計してください。
対称スイングを最大にするには、Vce を Vcc の 40~ 60% に設定します。Ic によって GM と帯域幅が決まります。Ic が高いほど GM が高いほど、ゲインは大きくなりますが、出力は大きくなります。2N3904 の場合、1mA は gm = 38mS、ft = 200MHz、10mA は gm = 380mS ですが、Vce = 6V での電力損失は 60 mW になります。
ベータは塩基のドーピング濃度と形状によって異なります。製造上のばらつきにより、2〜5倍の拡散が発生します。2N3904では、JEDECレジストレーションあたりIc = 10mA、Vce = 1Vでβ=100-300と規定されています。飽和を防ぐために、常に最小ベータになるように設計し、最大ベータ値で検証してください。

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