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PCB

組み込み抵抗計算ツール

ターゲット抵抗とシート抵抗からPCB埋め込み抵抗の形状を計算します。NiP、TaN、CrSiO、およびカーボン材料をサポートします。

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公式

R=R×LWR = R_{\square} \times \frac{L}{W}
RResistance (Ω)
R_□Sheet resistance of resistive film (Ω/□)
LResistor length (mm)
WResistor width (mm)

仕組み

埋め込み抵抗器は、製造時にPCBの内層にラミネートされた薄い抵抗膜です。抵抗はR = R_sheet × (L/W) という基本的な関係に従います。ここで、R_sheet はオーム/平方単位のシート抵抗で、L/W は平方数です。「正方形」とは、長さと幅が等しい任意の長方形です。1×1 mmの正方形は、同じ材質の10×10 mmの正方形と同じ抵抗を示します。

一般的な抵抗材料には、エッチング時の許容誤差が±10%のニッケルリン(NiP、ブランドOhmega-Ply)、25〜100Ω/□、±5%の許容誤差で25〜100Ω/□の窒化タンタル(TaN)、高値抵抗用の250〜1000Ω/□のクロム酸化ケイ素(CrSiO)などがあります。製造後にレーザートリミングを行うと、曲がりくねった切り口をフィルムにカットすることで、許容誤差を±1〜2%まで引き下げることができます。

設計上の重要な考慮事項は、レーザートリミングは抵抗を増大させるだけであり、材料を除去するだけであるということです。そのため、組み込み抵抗器は目標値より 10 ~ 20% 低く設計され、その後にトリミングされます。トリム許容誤差は設計形状を直接決定します。許容誤差が 10% の100Ωのターゲットは90Ωで設計され、4.0ではなく3.6平方 (25Ω/□) が必要になります。

計算例

付属: ターゲット抵抗 = 100 Ω、ニップ材料 (25 Ω/□)、抵抗幅 = 1.0 mm、トリム許容差 = 10% ステップ 1: ターゲットの正方形の数 N二乗法= fracRターゲットRシート= frac10025=4.0N_ {二乗法} =\ frac {R_ {ターゲット}} {R_ {シート}} =\ frac {100} {25} = 4.0 正方形 ステップ 2: ターゲットの抵抗の長さ L=Nsquares ×W=4.0 times1.0=4.0L = N_ {squares}\ × W = 4.0\ times 1.0 = 4.0 mm ステップ 3: 設計抵抗 (プレトリム) Rデザイン=Rターゲット times(1 fractrim%100)=100 times0.90=90R_ {デザイン} = R_ {ターゲット}\ times (1-\ frac {trim\%} {100}) = 100\ times 0.90 = 90 Ω ステップ 4: デザインジオメトリ Nデザイン= frac9025=3.6N_ {デザイン} =\ frac {90} {25} = 3.6 正方形 Ldesign=3.6 times1.0=3.6L_ {design} = 3.6\ times 1.0 = 3.6 mm ステップ 5: 電源処理

面積 = 1.0 × 4.0 = 4.0 ミリメートル²。NiP電力密度 = 25 mW/mm²。

Pmax=4.0 ×25=100P_ {max} = 4.0\ × 25 = 100 mW ステップ 6: トリムなしの公差

エッチング時のNiP: ± 10%レーザートリム使用時:± 5% (半分、上限 5%)

結果: 3.6 × 1.0 mm の抵抗を設計し、100 Ω にレーザートリミングします。最大100ミリワットの電力損失。

実践的なヒント

  • アスペクト比を0. 5:1 から 10:1 の間に保つには、10~500 Ω の範囲には 25 Ω/□、100~2000 Ω の範囲には 100 Ω/□、1k~50k Ω には 1000 Ω/□ CrSio を使用します。
  • 最小幅はエッチング公差の10倍でなければなりません。±0.025mmのエッチングには0.25mm以上の幅を使用してください
  • 部品のはんだ付けによる機械的ストレスを避けるため、埋め込み抵抗器は基板表面から離れた内層に配置してください。
  • トリム許容量は必ず製作図に明記してください。ファブハウスは設計から目標までのオフセットを知っておく必要があります
  • 高精度アプリケーション(± 1% 未満)の場合は、TaN材料を使用し、製造ノートに 100% のレーザートリムを明記してください

よくある間違い

  • 正確な目標値(トリムしても抵抗は増加するだけなので、トリミングするには製造時の抵抗が目標値より低くなければなりません)
  • 抵抗の幅が狭すぎる — エッチング公差 (通常は±0.025mm) は、それに比例して抵抗が狭くなるとばらつきが大きくなり、ばらつきが大きくなります
  • 曲がりくねったレイアウトでないと 10:1 を超えるアスペクト比 — 細長い抵抗器は壊れやすく、熱サイクル中にクラックが発生しやすくなります
  • 温度係数を無視すると — NiPのTCRは+50~100ppm/℃で、100Ωの抵抗は25℃から75℃に0.5%シフトします

よくある質問

実用的な範囲は材料によって異なります。25Ω/□のNiPは5~2500Ω(0.2〜100平方メートル)を処理します。1000 Ω/□ のCrSiOは、1k~100kΩを処理します。5 Ω 未満では非常に広い形状が必要になり、100k Ω を超えると現実的でない蛇紋岩パターンが必要になります。
エッチング時の状態:±10~20%(5% のディスクリートよりも悪い)。レーザートリム後:±1~ 2% (高精度薄膜ディスクリートと同等)。その利点は、はんだ接合が不要になり、寄生インダクタンスが減少し、基板面積が節約できることです。
はい。組み込み抵抗器は、ディスクリート抵抗(0.5~2 nH)に比べて寄生インダクタンスがきわめて低い(0.1 nH未満)。そのため、最大 40 GHz までの RF 終端、減衰器、バイアスネットワークに最適です。
チップ:25 メガワット/ミリメートル²。風力:50 メガワット/mm²。炭素:10 メガワット/mm²。これらは、周囲の誘電体の熱抵抗によってフィルムの熱限界値を下回ります。ボードレベルの熱抵抗が熱を放散できることを必ず確認してください。
通常、抵抗層ラミネーションのベースボードコストには 15 ~ 40% のコストに加え、レーザートリミングが指定されている場合は 20 ~ 50% 高くなります。20個以上のディスクリート抵抗を交換すれば経済的です (ピックアンドプレースコスト、基板面積、はんだ接合部の信頼性リスクを軽減)。

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