ホイートストンブリッジカリキュレータ
ホイートストンブリッジの出力電圧、バランス状態、および感度を計算します。ひずみゲージ、RTD、高精度抵抗測定に使用されます。
公式
仕組み
この計算機は、ホイートストンブリッジの出力電圧とバランス条件を計算します。これは、精密測定技術を学ぶ計装エンジニア、センサー設計者、電子工学を学ぶ学生にとって不可欠です。ホイートストンブリッジは、小さな抵抗変化を測定可能な電圧に変換するための基本回路で、ひずみゲージ、RTD、ロードセル、圧力センサーに使用されます。ブリッジ出力はVout = Vin (R3/ (R1+R3)-R4/ (R2+R4)) で、R1/R2 = R3/R4 (平衡状態) の場合はゼロに等しくなります。片方のアームの抵抗変化がわずかdRの場合、公称抵抗Rのクォータブリッジでは直線化出力はVout = Vin dR/ (4*R) です。IEEE 1451.4 (スマートトランスデューサインターフェース) によると、ブリッジベースのセンサーは適切な信号調整を行えば+/ -0.02% の精度を実現します。1 つのアクティブアームの感度は、抵抗変化が 0.1% あたり 0.25 mV/V です。フルブリッジ構成 (4 つのアクティブアーム) では、ASTM E251 ストレインゲージ規格に従い、対向のアームが同じ温度になった場合に 4 倍の感度 (0.1% の変化につき 1 mV/V) と自動温度補正が可能になります。
計算例
問題:プラチナ RTD (PT100) 温度センサー用のホイートストンブリッジを設計します。目標:12 ビット ADC (3.3 V リファレンス) を使用して、0 ~ 200 ℃ を 0.1C の分解能で測定します。ブリッジ励起は 1 mA の定電流です。
解決策: 1。PT100 抵抗:0C で R0 = 100 オーム、200C で R200 = 175.86 オーム (IEC 60751) 2.抵抗値の変化:200℃以上でルピー=175.86-100=75.86オーム 3.ブリッジ構成:R1 = R2 = R4 = 100 オーム固定、R3 = PT100 (可変) 4.励起電圧:ベックス = 1 mA × 100 オーム = 1 アームあたり 0.1 V、ただし電圧源を使用してください 5.適切な信号を得るには Vex = 2.5V を使用してください。VOUT_Max = 2.5* (175.86/ (100+175.86) -100/ (100+100)) 6.VOUT_Max = 2.5* (0.637-0.5) = 2.5* 0.137 = 200C で 343 mV 7.必要なゲイン:G = 3000 mV/343 mV = 8.75 (マージンには 10 を使用) 8.解像度:3.3V/4096/10/343 mV * 200C = 0.047C/LSB (0.1C 目標を超えています) 9.自己発熱:2.5V^2/ (4*100) = 15.6 mW (0.5Cの誤差が発生する可能性があります。重要な場合は1Vの励起を使用してください)
結果:励起電圧が2.5V、ゲインが10倍のブリッジは、200℃で0.05C/LSBの分解能で343mVの出力が得られます。
実践的なヒント
- ✓最高の安定性を実現するには、固定ブリッジアームにフォイル抵抗器 (+/-2 ppm/C TCR、+/ -0.01%の許容誤差) を使用してください。ビシェイ社のVHPシリーズとTE Connectivity VSMPシリーズは、MIL-PRF-55182に準拠した精密ブリッジの業界標準です。
- ✓リモートセンサー (R3) には3線式または4線式で接続し、リード抵抗誤差をなくします。3線式では、ASTM E1137 RTD測定規格に従って隣接するアームのリードを一致させることでリード抵抗が相殺されます。
- ✓ブリッジ出力(10〜100 Hzのカットオフ)の後にローパスフィルターを追加して、50/60 Hzのピックアップを除去します。R = 10 kOhm、C = 0.1 uFのシンプルなRCフィルターは、最小限の負荷で160 Hzのカットオフを実現します。
よくある間違い
- ✗バランス条件の誤解:バランスは、R1*R4 = R2*R3ではなく、R1/R2 = R3/R4のときに発生します。どちらの形式も数学的には同等ですが、比率形式はどの抵抗が同じブリッジアームにあるかを示します
- ✗固定抵抗器の温度係数を無視すると、標準の 1% 金属皮膜抵抗器のTCRは+/-100ppm/C、50℃を超えると 0.5% のドリフトが測定誤差として現れます。ブリッジアームには+/-25 ppm/C以上を使用してください
- ✗不適切な励起レベルの使用:電圧が高くなると SNR は向上しますが、自己発熱 (I^2*R 損失) が発生します。PT100 ブリッジの場合、IEC 60751 に従って自己発熱を 0.1C 未満に抑えるため、励起電流を 1 mA に制限してください
よくある質問
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