MOSFET 동작점 계산기
NMOS 트랜지스터의 MOSFET 드레인 전류, 포화 전압, 트랜스컨덕턴스 및 동작 영역 (컷오프, 트라이오드, 포화) 계산
공식
I_D = k_n/2 × (V_GS−V_th)² (sat), I_D = k_n × [(V_GS−V_th)V_DS − V_DS²/2] (triode)
작동 방식
금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET) 동작점은 트랜지스터의 기본 동작 상태를 설정하는 DC 바이어스 조건을 나타냅니다.이러한 맥락에서 주요 파라미터에는 드레인-소스 전압 (VDS), 게이트-소스 전압 (VGS) 및 드레인 전류 (ID) 가 포함되며, 이를 통해 디바이스가 차단 영역, 선형 영역 또는 포화 영역에 있는지를 결정합니다.트랜지스터가 설계된 성능 범위 내에서 작동하고 신호 무결성을 유지하려면 동작점을 이해하는 것이 중요합니다.
계산 예제
실용적인 팁
- ✓세부 계산 전에 항상 트랜지스터의 작동 영역을 확인하십시오.
- ✓제조업체 데이터시트를 사용하여 정확한 파라미터 값 확인
- ✓트랜지스터 특성에 미치는 온도 영향 고려
- ✓고전력 애플리케이션의 잠재적 자체 발열 여부 확인
흔한 실수
- ✗트랜지스터 작동 영역의 잘못된 해석
- ✗온도 계수 변동의 무시
- ✗특정 장치 특성 대신 일반 매개변수 사용
- ✗기생 커패시턴스 효과 간과
자주 묻는 질문
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