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MOSFET 전력 손실 계산기

전력 전자 설계를 위한 MOSFET 전도 손실, 스위칭 손실, 총 전력 손실, 접합 온도 및 효율성 계산

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공식

P_cond = I_D² × R_DS(on), P_sw = 0.5 × V_DS × I_D × (t_r + t_f) × f_sw

I_DDrain current (A)
R_DS(on)On-resistance (Ω)
V_DSDrain-source voltage (V)
f_swSwitching frequency (Hz)
t_rRise time (s)
t_fFall time (s)

작동 방식

MOSFET (금속 산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 은 작동 중에 전기 에너지를 열로 변환하며, 전력 손실은 전자 설계의 중요한 매개변수입니다.전력 손실은 두 가지 주요 메커니즘, 즉 전도 손실과 스위칭 손실을 통해 발생합니다.전도 손실은 MOSFET이 완전히 켜져 있을 때 발생하며, 이는 드레인 소스 온 저항 (RDS (on)) 과 디바이스에 흐르는 전류에 의해 결정됩니다.스위칭 손실은 트랜지스터 상태 전환 중에 발생하며, 이는 켜기 및 끄기 기간 동안 손실되는 에너지를 열로 나타냅니다.

계산 예제

스위칭 주파수가 50kHz인 상태에서 10A에서 작동하는 RDS (온) = 0.05Ω의 MOSFET을 예로 들어 보겠습니다.전도 손실 = I²R = (10A) ² × 0.05Ω = 5W.스위칭 손실 계산에는 게이트 전하 (Qg), 공급 전압 (VCC) 및 스위칭 주파수가 포함됩니다. Psw = Qg × VCC × f = 50nC × 12V × 50kHz = 3W입니다.총 전력 소비량은 5W+3W = 8W입니다.

실용적인 팁

  • 전력 손실이 2W를 초과하는 MOSFET에 대해서는 항상 충분한 히트싱크를 확보하십시오.
  • 전도 손실을 줄이려면 RDS (on) 가 낮은 MOSFET을 선택하십시오.
  • 스위칭 에너지 손실을 최소화하려면 더 빠른 스위칭 MOSFET을 고려하십시오.
  • 접합 온도를 모니터링하여 열 폭주를 방지합니다.

흔한 실수

  • 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 손실 무시
  • 열 관리 요구 사항의 과소평가
  • 지정된 작동 조건 이상으로 MOSFET 사용

자주 묻는 질문

I²R을 사용하여 전도 손실을 계산하고 Qg × VCC × 주파수를 사용하여 스위칭 손실을 계산한 다음 이 값을 합산합니다.
전류, 온 저항, 스위칭 주파수, 게이트 충전 및 작동 전압이 핵심 요소입니다.
과도한 전력 손실은 접합 온도를 증가시켜 잠재적으로 장치 고장이나 신뢰성 저하를 일으킬 수 있습니다.

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