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인덕턴스 유닛 컨버터

헨리 (H), 밀리헨리 (mH), 마이크로헨리 (µH), 나노헨리 (nH), 피코헨리 (pH) 등 인덕턴스 단위를 즉시 변환할 수 있습니다.RF 코일 설계, 전력 변환기 인덕터 및 EMC 필터 부품에 필수적입니다.무료 온라인 인덕턴스 유닛 컨버터.

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공식

1H=103mH=106muH=109nH=1012pH1 H = 10³ mH = 10⁶ mu H = 10⁹ nH = 10¹² pH

작동 방식

이 계산기는 전력 전자 엔지니어, RF 설계자 및 EMC 전문가를 위해 헨리, 밀리헨리, 마이크로헨리, 나노헨리 및 피코헨리를 변환합니다.SI 브로셔 (BIPM) 에 따르면 헨리는 1A/s에서 전류가 변할 때 1V EMF를 생성하는 인덕턴스를 나타내는 Wb/A = V·s/A = kg·m^2/(A^2·s^2), 로 정의됩니다. 인덕턴스의 크기는 12배에 달합니다: 본드 와이어 인덕턴스용 피코헨리 (IEEE 패키징 가이드라인 기준 약 1pH/mm), RF 매칭을 위한 나노헨리 (1-100nH), DC-DC 컨버터용 마이크로헨리 (1-1000 uH), AC 필터 및 모터 드라이브용 밀리헨리 (1~100mH)PCB 트레이스 인덕턴스은 IPC-2141 기준 mm 길이당 약 1nH이며, 100MHz 이상의 고속 신호 무결성에 매우 중요합니다.

계산 예제

문제: 500kHz 벅 컨버터에는 3A DC에서 30% 리플 전류를 사용하는 10uH 인덕터가 필요합니다.피크 전류, 에너지 저장량을 계산하고 포화 마진을 확인하십시오.

해결 방법:

  1. 인덕턴스: 10uH = 0.01 mH = 10,000nH = 10^-5 H
  2. 리플 전류: 3A의 30% = 0.9A 피크 투 피크
  3. 피크 전류: I_pk = I_DC + dI/2 = 3 + 0.45 = 3.45A
  4. 최고점에 저장된 에너지: E = 0.5 × L × I^2 = 0.5 × 10e-6 × 3.45^2 = 59.5 uJ
  5. V = L × dI/dt, 따라서 정시 시 dI/dt = V/L = (12-5)/(10e-6) = 70만 A/s
  6. 포화 마진: I_sat > 4 A 정격 인덕터 선택 (피크 3.45A 이상의 15% 마진)
  7. 코어 손실: 500kHz에서 페라이트 코어는 스타인메츠 방정식에 따라 약 100mW/cm^3을 제공합니다.

실용적인 팁

  • ✓IPC-2141 기준 PCB 트레이스 인덕턴스: 접지면의 트레이스에 대해 약 1nH/mm. 50mm 파워 트레이스는 50nH를 추가하며, 이로 인해 100A/us의 슬루레이트에서 3V 강하가 발생합니다 (일반적으로 고속 로직의 경우).IC 전원 핀의 트레이스 길이를 최소화하세요.
  • ✓코일크래프트/월스 가이드라인에 따른 인덕터 선택: DC-DC 컨버터는 높은 I_sat에서 1~100uH를 사용하고, EMI 필터는 100uH - 10mH 공통 모드 초크를 사용하며, RF 매칭은 높은 Q (주파수 기준 50초과) 에서 1~100nH를 사용합니다.
  • ✓인덕터 코드 마킹: 커패시터와 비슷한 4자리 숫자로 처음 3자리는 값이고 마지막 3자리는 nH 단위의 배율입니다.예: 101 = 10 × 10^1 nH = 100 nH, R47 = 0.47uH (R은 EIA-198 기준 소수점)

흔한 실수

  • ✗uH (10^-6 H) 와 mH (10^-3 H) 를 혼동하면 둘은 1000배 차이가 납니다.10mH 인덕터의 인덕턴스는 10uH보다 1000배 더 높습니다.DC-DC 컨버터는 uH를 사용하고 라인 필터는 mH를 사용합니다.
  • ✗기생 리드 인덕턴스 (IEEE 기준 약 1nH/mm) 를 무시하면 1GHz에서 10nH의 리드 인덕턴스 = 63옴 리액턴스로, 잠재적으로 100옴 회로를 지배할 수 있습니다.RF에는 표면 실장 부품을 사용하십시오.
  • ✗포화를 고려하지 않음 - 인덕터 데이터시트에는 L_nominal 와 I_sat. 이 모두 명시되어 있습니다. I > I_sat, 인 경우 인덕턴스가 20-50% 감소하여 리플이 증가하고 잠재적인 불안정성이 발생합니다.확인 I_sat > I_peak

자주 묻는 질문

패러데이의 법칙에 따르면 V = L × dI/dt이므로 1 H는 1A/s에서 전류가 변할 때 1V를 생성합니다. 실제로 10uH 인덕터는 1A/us 전류 슬루가 10V를 생성합니다. 이것이 바로 빠른 전력 공급 (최신 CPU의 경우 100A/us) 에 VRM과 부하 사이에 매우 낮은 인덕턴스 (총 1nH 미만) 가 필요한 이유입니다.
애플리케이션당 주파수: 리액턴스 X = 2*pi*F*L이 중요한 RF/마이크로파 (> 100MHz) 의 경우 nH (1GHz = 63ohm에서 10nH). 전력 전자 장치의 경우 uH (10kHz - 10MHz DC-DC 컨버터). 라인 주파수 애플리케이션 (50/60Hz EMI 필터, 모터 드라이브) 의 경우 mH.인덕턴스를 작동 주파수와 일치시키십시오.
IEEE 패키징 모델에 따르면 직선 와이어의 자체 인덕턴스 L = 0.2 × length_mm × (ln (2 × 길이/반경) - 0.75) nH이며, 일반적인 본드 와이어 직경의 경우 약 1nH/mm입니다.5GHz에서는 2nH = 63옴 리액턴스가 필요하기 때문에 1GHz 이상의 IC에는 플립칩 패키징 (10배 낮은 인덕턴스) 이 필요합니다.
1000으로 나누기: 470 nH = 0.47 uH = 0.00047 mH.역방향의 경우 1000을 곱하면 4.7uH = 4700nH입니다.IEC 60063 E-시리즈별 표준 값: E24 (허용 오차 5%) 는 10년 동안 47, 51, 56... 을 제공합니다.일반적인 DC-DC 인덕터: 1uH, 2.2uH, 4.7uH, 10uH, 22uH, 47uH

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