Abschnitte der Dokumentation
MOSFET-Betriebspunktrechner
POSThttps://rftools.io/ api/ py/ v1/ calculate
Slug mosfet-operating-point. Berechnung des MOSFET-Drainstroms, der Sättigungsspannung, der Transkonduktanz und des Betriebsbereichs (Cutoff, Triode, Sättigung) für NMOS-Transistoren
Eingaben
Senden Sie jede dieser Eingaben in inputs, in den gezeigten Einheiten. Die meisten sind erforderlich: Ein Aufruf, dem eine davon fehlt, wird abgelehnt (400) und kostet nichts; eine, auf die der Rechner verzichten kann, erhält den gezeigten Standardwert. Eine Eingabe außerhalb ihres Bereichs wird trotzdem berechnet und in der Provenienz markiert.
| Name | Einheit | Bereich | Standardwert | Beschreibung |
|---|---|---|---|---|
| vgsZahl | V | mindestens 0 | 5 | Gate-Source-Spannung |
| vthZahl | V | mindestens 0.1 | 2 | Schwellenspannung |
| knZahl | mA/V² | mindestens 0.001 | 100 | Prozessparameter kn = μ_n × Cox × W/L |
| vdsZahl | V | mindestens 0 | 10 | Nur bei Bias-Modus 1 verwendet; standardmäßig wird V_DS aus V_DD und R_D gelöst |
| vddZahl | V | mindestens 0.1 | 12 | Versorgungsspannung |
| rdLoadZahl | kΩ | mindestens 0.001 | 1 | Drain-Lastwiderstand |
| biasModeZahl | keine | 0 … 1 | 0 | Die Lastgerade löst V_DS = V_DD − I_D·R_D; der andere Modus verwendet die eingegebene V_DS |
Ausgaben
Zurückgegeben in values, nach Namen. Ein Wert, der unbegrenzt oder nicht definiert ist, ist null.
| Feld | Einheit | Beschreibung |
|---|---|---|
| idHauptwert | mA | Drainstrom |
| vdsSat | V | Sättigungsspannung |
| powerDissipation | mW | Verlustleistung |
| gm | mA/V | Transkonduktanz |
| region | keine | Arbeitsbereich (0=Aus, 1=Triode, 2=Sättigung) |
| vdsOperating | V | V_DS im Arbeitspunkt |
Aufruf
- Berechnen: ein Aufruf, Anfrage und Antwort vollständig, und seine Fehler.
- Batch: dieser Rechner zusammen mit anderen oder ein Sweep, in einer Anfrage.
- Nach einem Zielwert auflösen: der Wert einer Eingabe, der eine Ausgabe auf einen Zielwert bringt.