電圧降下および電力計算ツール経由
温度補償付きメッキスルーホールビアとパラレルビアアレイのDC抵抗、電圧降下、および電力損失を計算します。
公式
仕組み
メッキ加工されたスルーホールビアには、銅バレルの形状によって決まる有限のDC抵抗があります。断面は薄壁の環状円柱で、面積 = π × t × (D − t) で、D はドリルの直径、t はめっきの厚さ (IPC-6012 クラス 2 では通常 18 ~ 25 µm) です。断面積が小さいということは、1つのビアにミリオームレベルの抵抗があるということであり、これは高電流配電では重要なことです。
銅の抵抗率は、温度が 0.393% /°C (α = 0.00393/°C) になると増加します。85°Cの動作温度では、抵抗は20°Cの場合よりも 26% 高くなります。この温度依存性はパワーインテグリティ解析にとって非常に重要です。負荷がかかると、ビアは負荷がかかると熱が上昇し、熱伝導によって周囲の銅への熱伝導によって制限される正のフィードバックループになります。
並列ビアアレイは、合計抵抗をN (ビア数) で割ります。1.6 mm基板に8本の0.3 mmビアを並列に接続した場合、合計抵抗は約0.33 mΩで、これは数ミリメートルのトレースに匹敵します。パワー・コンバータの設計では、レイヤー間のパワーレールの遷移ごとに4~20個のパラレル・ビアを日常的に使用します。
計算例
$\ rho =\ rho_ {20}\ times [1 +\ alpha (T-20)] = 1.724\ times 10^ {-8}\ times [1 + 0.00393\ times 5] = 1.758\ times 10^ {-8} $ ω·m
ステップ 2: 断面積経由$D = 0.3\ times 10^ {-3} $ m、$t = 25\ times 10^ {-6} $ m
$A =\ pi\ times t\ times (D-t) =\ pi\ times 25\ times 10^ {-6}\ times (300-25)\ times 10^ {-6}\ times (300-25)\ times 10^ {-6} $
$=\ pi\ times 25\ times 275\ times 10^ {-12} = 21.6\ times 10^ {-9} $ m² = 0.0216 mm²
ステップ 3: シングルビア抵抗 mΩ ステップ 4: 電圧降下と電力 mV mW ステップ 5: 温度上昇の推定 °C/W °C (ごくわずか) 結果: 1.30 mΩ の抵抗、1A での 1.30 mV 降下 — ほとんどのアプリケーションでは無視できる程度です。実践的なヒント
- ✓連続電流1アンペアにつき8~12個の並列ビアを使用し、温度上昇を5℃未満に抑えます。
- ✓電源ビアをコンポーネントパッド(ビアインパッド)の真下に配置して、ビアと負荷の間のトレース長を最小限に抑えます
- ✓PDN 解析ツールでは、各ビアを直列抵抗+インダクタンス (通常、ビアあたり0.5~1 nH) としてモデル化します。
- ✓ドリルの直径が大きいほど、厚いメッキよりも面積がD×tに比例するので、Dを2倍にすると面積が2倍になり、tを2倍にするとtが増えるだけです。
- ✓サーマルビアアレイ(放熱用)では、電気よりも熱抵抗の方が重要です。導電性を高めるには、銅またはサーマルペーストを充填してください
よくある間違い
- ✗ビア抵抗がゼロと仮定すると、1つのビアで20Aの場合、電圧降下は26mV、損失は520mWとなり、実際の熱問題が生じます。
- ✗薄壁環の代わりにドリル面積全体 (パイD²/4) を使用する — 純銅フィルはまれですが、標準ビアは25 µmメッキを施した中空バレルです
- ✗温度係数は無視 — 85°Cのパワービアの抵抗は20°Cの場合よりも 26% 大きいため、常にワーストケースの動作温度で計算してください
- ✗公称めっき厚みを考慮すると — IPC-6012の最小値は18 µm、最悪の場合でも耐えられるように最小限のめっきを施した設計
よくある質問
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