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LDO サーマル・カリキュレータ

LDOレギュレータの電力損失、接合部温度、熱マージン、および最小ドロップアウト電圧を計算して、熱設計を検証します。

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公式

P_{diss} = (V_{in} - V_{out}) \cdot I_{load},\quad T_J = T_{amb} + \theta_{JA} \cdot P_{diss}

参考: Texas Instruments Application Note SLVA061; IEC 60747-6

PdissPower dissipation (W)
VᵢₙInput voltage (V)
VₒᵤₜOutput voltage (V)
IₗₒₐdLoad current (A)
TJJunction temperature (°C)
TₐₘbAmbient temperature (°C)
θJAThermal resistance junction-to-ambient (°C/W)

仕組み

低ドロップアウト (LDO) レギュレータは、電圧降下を最小限に抑えながら安定した電圧レギュレーションを提供する重要な電源管理コンポーネントです。LDOの熱性能は基本的に、デバイスが過剰な入力電圧を熱に変換するときに発生する電力損失によって決まります。消費電力 (Pdiss) は、入力と出力の電圧差 (Vin-Vout) に負荷電流 (Iload) を掛けて計算されます。この電力は熱に変換され、半導体デバイスの接合温度 (TJ) に直接影響します。接合部と周囲との熱抵抗 (θ JA) によって、デバイス内部のシリコン接合部から周囲の環境への熱伝達の効率が決まります。SOT-23やTO-252などのパッケージタイプによって熱特性が大きく異なり、θ JA値は約50~150°C/Wの範囲です。125°Cを超えると半導体の性能が急激に低下するため、温度管理は非常に重要であり、信頼性の高い動作を確保するためには注意深い熱設計が必要です。

計算例

500mAの負荷電流で5Vを3.3Vに変換するSOT-23パッケージのLDOレギュレータを考えてみましょう。まず、電力損失を計算します。つまり、Pdiss = (5V-3.3V) × 0.5A = 0.85W。SOT-23の515JAを150°C/Wとし、周囲温度を25°Cと仮定して、ジャンクション温度をTJ = 25°C+ (150°C/W × 0.85W) = 152.75°Cと計算します。これは125°Cのディレート閾値を超えているため、信頼性の高い動作を確保するために、追加の冷却または別のパッケージの使用が推奨されます。

実践的なヒント

  • 高電流LDOアプリケーションには、常にヒートシンクまたはより大きなパッケージを使用してください
  • 接合部温度の監視とサーマルシャットダウンメカニズムの実装
  • レギュレータからの熱放散を最大化するために、PCBのレイアウトを検討してください

よくある間違い

  • 異なるパッケージタイプ間の熱抵抗のばらつきを軽視
  • 動作温度範囲全体にわたって直線的な熱性能を想定
  • 高電流アプリケーションの熱ディレーティング要件の見落とし

よくある質問

サーマルディレーティングとは、半導体の故障を防ぐために、接合部温度の上昇に応じて最大負荷電流を減らす方法です。ほとんどのLDOは、信頼性の高い性能を維持するために125℃以上でディレーティングを行っています。
パッケージタイプが異なれば、熱抵抗も異なります。SOT-23パッケージは通常、熱をより効果的に放散するTO-252のような大型パッケージ(約50°C/W)に比べて熱抵抗(約150°C/W)が高くなっています。
はい。ヒートシンクを追加すると、デバイスから周囲環境への熱伝達が改善され、より高い電流で動作できるようになるため、接合部温度を大幅に下げることができます。
最大接合温度を超えると、デバイスの永久的な損傷、リーク電流の増加、レギュレーション精度の低下、壊滅的な故障につながるおそれがあります。
パッケージの熱抵抗、周囲温度、および最大接合部温度に基づいて最大消費電力を計算し、対応する負荷電流を決定します。

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