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유효 유전율 계산기 (마이크로스트립)

Hammerstad-Jensen을 사용하여 마이크로스트립 유효 유전상수 εeff를 계산하고 게팅거 분산, 전파 속도, 지연 (ps/mm 및 ps/inch), 유도 파장을 더합니다.

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공식

εeff=εr+12+εr12(1+10u)a(u)b(εr),u=weffh\varepsilon_{\text{eff}} = \frac{\varepsilon_r + 1}{2} + \frac{\varepsilon_r - 1}{2}\left(1 + \frac{10}{u}\right)^{-a(u)\,b(\varepsilon_r)},\qquad u = \frac{w_{\text{eff}}}{h}

참고: E. Hammerstad & Ø. Jensen, "Accurate Models for Microstrip Computer-Aided Design", IEEE MTT-S 1980; W. J. Getsinger, "Microstrip Dispersion Model", IEEE Trans. MTT-21, 1973

εeff파동으로 보이는 유효 유전 상수
εr기판 상대 유전율
w트레이스 너비 (mm)
h기준 평면까지의 유전 높이 (mm)
t구리 두께 (유효 트레이스 확대) (mm)
q충전 인자, (εeff−1)/(εr−1)
tpd전파 지연, √εeff/ c (ps/mm)

작동 방식

마이크로스트립은 혼합 유전체 구조입니다.트레이스는 라미네이트 위에 위치하며 그 아래에는 기준면이 있지만 트레이스 위에는 공기가 있습니다.따라서 필드 라인은 유전율이 다른 두 매체 사이에서 나뉘고, 파동은 마치 중간 값 $\ varepsilon_ {eff} $의 균일한 단일 매질 내에서 이동하는 것처럼 전파됩니다. 이 매체는 1< varepsiloneff< varepsilonr1 <\ varepsilon_ {eff} <\ varepsilon_r로 엄격하게 제한됩니다.속도에 따라 달라지는 모든 숫자 (전파 지연, 유도 파장, 스터브 길이, 매칭 섹션의 전기 길이) 는 $\ varepsilon_ {eff} $에 따라 달라지며 데이터시트에 인쇄된 라미네이트  varepsilonr\ varepsilon_r에는 의존하지 않습니다.

해머스타드와 젠슨은 $\ varepsilon_ {eff} $를 정확한 준정적 필드 솔루션에  varepsilonr\ varepsilon_r에 종속 지수를 갖는 단일 형상 매개변수 u=w/hu = w/h의 함수로 피팅했습니다.그들의 폐쇄형 형태는 기본적으로 모든 인쇄 회로 작업을 포함하는 0.05\ le u\ le 20$ 및  varepsilonr le12\ varepsilon_r\ le 12에 비해 약 1% 의 가격을 유지합니다.구리 두께는 유효 폭 증가 $\ Delta w = (t/\ pi)\ ln (1 + 2h/t) $일 때 가장 먼저 나타납니다. 실제 두께의 도체는 필드에 추가 측벽을 제공하기 때문입니다. 이를 무시하면 무거운 구리에서는 Z0Z_0가 눈에 띄게 과장됩니다.

두 가지 제한 사항은 모델이 올바른 물리 효과를 발휘하고 있음을 확인할 수 있습니다.w/h to0w/h\ to 0이므로 트레이스는 공기-유전체 인터페이스를 거의 방해하지 않으며  varepsiloneff to( varepsilonr+1)/2\ varepsilon_ {eff}\ to (\ varepsilon_r + 1) /2이므로 두 반쪽 공간의 산술 평균입니다.w/h to inftyw/h\ to\ infty와 같이 필드는 기판 안으로 완전히 압축되고  varepsiloneff to varepsilonr\ varepsilon_ {eff}\ to\ varepsilon_r — 마이크로스트립이 스트립라인처럼 동작하는 평행판 한계입니다.이들 사이의 충전 계수 $q = (\ varepsilon_ {eff} - 1)/(\ varepsilon_r - 1) $는 라미네이트 내부에 있는 필드 에너지의 비율을 직접 나타냅니다.

준정적 결과는 주파수에 영향을 받지 않으며, 이는 사실이 아닙니다.주파수가 증가하면 자기장은 유전율이 높은 기질 안으로 더 집중되고 $\ varepsilon_ {eff} $는  varepsilonr\ varepsilon_r를 향해 단조롭게 올라갑니다.게팅거의 모델은 이것을 $\ varepsilon_ {eff} (f) =\ varepsilon_r - (\ varepsilon_r -\ varepsilon_ {eff})/(1 + G (f/f_p) ^2) 로캡처합니다(로 캡처합니다 (f_p = Z_0/ (2\ mu_0 h) $ 및 G=0.6+0.6+009Z0G = 0.6 + 0.6+ 009 Z_0.보정 범위는 $ (f h) ^2$로 조정되므로 약 10GHz 미만의 얇은 라미네이트에서는 1% 미만이고 두꺼운 기판 또는 약 15GHz 이상에서는 몇 퍼센트 증가합니다.

계산 예제

제공: w=0.3w = 0.3 mm, h=0.2h = 0.2 mm,  varepsilonr=4.3\ varepsilon_r = 4.3 (FR-4), t=35t = 35 마이크로미터 (1온스), f=1f = 1 GHz 1단계: 유효 너비에 따른 두께 보정  Deltaw= fract pi left(1+ ln frac2ht 오른쪽)= frac0.035 왼쪽(1+ ln frac0.40.035 오른쪽)=0.011141 times(1+2.43612)=0.03828\ Delta w =\ frac {t} {\ pi}\ left (1 +\ ln\ frac {2h} {t}\ 오른쪽) =\ frac {0.035}\ 왼쪽 (1 +\ ln\ frac {0.4} {0.035}\ 오른쪽) = 0.011141\ times (1 + 2.43612) = 0.03828 mm weff=0.3+0.03828=0.33828w_ {eff} = 0.3 + 0.03828 = 0.33828 mm, 그래서 u=weff/h=1.69141u = w_ {eff} /h = 1.69141 2단계: 해머스타드-젠슨 형상 용어 a=1+ frac149 ln fracu4+(u/52)2u4+0.432+ frac118.7 ln left(1+ 왼쪽( fracu18.1 오른쪽)3 오른쪽)=0.998997a = 1 +\ frac {1} {49}\ ln\ frac {u^4 + (u/52) ^2} {u^4 + 0.432} +\ frac {1} {18.7}\ ln\ left (1 +\ 왼쪽 (\ frac {u} {18.1}\ 오른쪽) ^3\ 오른쪽) = 0.998997 b=0.564 left( frac varepsilonr0.9 varepsilonr+3 오른쪽)0.053=0.564 times(0.465753)0.053=0.541619b = 0.564\ left (\ frac {\ varepsilon_r - 0.9} {\ varepsilon_r + 3}\ 오른쪽) ^ {0.053} = 0.564\ times (0.465753) ^ {0.053} = 0.541619 3단계: 유효 유전 상수

$\ 바렙실론_ {eff} =\ frac {\ varepsilon_r + 1} {2} +\ frac {\ varepsilon_r - 1} {2}\ 왼쪽 (1 +\ frac {10} {u}\ 오른쪽) ^ {-ab} $

=2.65+1.65 times(6.91224)0.541076=2.65+1.65 times0.35131=3.2296814465543817= 2.65 + 1.65\ times (6.91224) ^ {-0.541076} = 2.65 + 1.65\ times 0.35131 = 3.2296814465543817

한계에 대한 온전성 검사: $ (\ varepsilon_r + 1) /2 = 2.65$ 및  varepsilonr=4.3\ varepsilon_r = 4.3.결과는 당연히 둘 사이에 있습니다.

4단계: 충전 계수 및 임피던스 q= frac varepsiloneff1 varepsilonr1= frac2.22968143.3=0.6756610444104187q =\ frac {\ varepsilon_ {eff} - 1} {\ varepsilon_r - 1} =\ frac {2.2296814} {3.3} = 0.6756610444104187 Z0=54.36834333422282Z_0 = 54.36834333422282 Ω — 필드 에너지의 약 2/3가 라미네이트 내부에 있습니다. 5단계: 전파 vp= fracc sqrt varepsiloneff= fracc1.79713=55.644238564186 v_p =\ frac {c} {\ sqrt {\ varepsilon_ {eff}}} =\ frac {c} {1.79713} = 55.644238564186\ % 또는 cc tpd= frac sqrt varepsiloneffc= frac1.797130.299792458textmm/ps=5.994585258834897t_ {pd} =\ frac {\ sqrt {\ varepsilon_ {eff}}} {c} =\ frac {1.79713} {0.299792458\\ text {mm/ps}} = 5.994585258834897 ps/mm

영국식 단위: 5.994585\ x 25.4 = 152.26246557440638$ ps/인치 — FR-4 마이크로스트립의 경우 “인치당 약 150ps”로 친숙합니다.

6단계: 1GHz에서의 분산 및 유도 파장

$f_p =\ frac {Z_0} {2\ mu_0 h} =\ frac {54.3683} {2\ times 4\ pi\ times 10^ {-7}\ 타임스 10^ {-3}} = 1.0817\ 타임스 10^ {11} $ Hz

1GHz에서 f/fpf/f_p 비율은 0.00924이므로 보정은 무시할 만합니다.  varepsiloneff(f)=3.22978109571598\ varepsilon_ {eff} (f) = 3.22978109571598로 0.0031% 에 불과합니다.

 lambdag= fraccf sqrt varepsiloneff(f)=166.81463855984217\ lambda_g =\ frac {c} {f\ sqrt {\ varepsilon_ {eff} (f)}} = 166.81463855984217 mm이므로 쿼터 웨이브 섹션은 41.7036596399605441.70365963996054 mm입니다. 결과:  varepsiloneff=3.2297\ varepsilon_ {eff} = 3.2297, 광속의 55.6%, 인치당 152.3픽셀, 1GHz에서 41.7mm의 쿼터 웨이브.

실용적인 팁

  • 모든 엡실론-eff 결과가 두 범위를 기준으로 온전한지 확인하십시오. 즉, (엡실론-r + 1) /2와 엡실론-r 사이에 있어야 합니다.이 범위를 벗어나는 값은 단위 또는 기하학적 오류를 의미하며 주변 모델이 아님을 의미합니다.
  • 충진 계수를 허용오차 분석에 사용하십시오. 적층 엡실론-r을 변경하면 epsilon-eff가 그 변화의 약 q배만큼 이동하므로 q = 0.68인 선은 모든 라미네이트 변동의 약 2/3를 지연 예산으로 전달합니다.
  • 신호 무결성 엔지니어와 대화할 때는 ps/inch 단위로, 레이아웃 연산을 수행할 때는 ps/mm로 견적 지연을 나타냅니다.둘 다 25.4로 스케일링된 동일한 숫자이며, 이 두 값을 섞으면 길이 일치 오류가 발생하는 흔한 원인입니다.
  • 트레이스가 넓을수록 epsilon-eff가 증가합니다. 즉, 지오메트리가 혼합된 보드 전체에서 제어된 임피던스 라인의 지연이 일정하지 않습니다.너비가 다를 경우 물리적 길이가 아닌 지연 시 길이 일치
  • 두꺼운 기판 위의 주파수가 중요한 구조물의 경우 DC가 아닌 작동 주파수에서 계산을 실행하십시오.분산 출력은 그것이 중요한지 아니면 무시해도 되는지를 즉시 알려줍니다.

흔한 실수

  • 1/4파 스터브가 약 13% 짧아 필터 에지를 수백 MHz 이동시킬 수 있을 정도로 짧아지는 FR-4에서 엡실론-eff 대신 라미네이트 epsilon-r을 사용하여 스터브 및 파장 계산
  • 마이크로스트립과 스트립라인이 동일한 라미네이트에서 동일한 지연을 보인다고 가정하면 스트립라인은 완전히 매립되어 엡실론-eff가 정확히 epsilon-r과 동일하므로 동일한 재질의 마이크로스트립보다 약 15% 느립니다.
  • 무거운 구리 빌드의 구리 두께를 무시하면 — 2oz 구리는 유효 폭을 크게 늘리고, 이를 생략하면 Z0이 몇 퍼센트 과대됩니다.
  • 약 15GHz 이상의 mmWave 주파수 또는 두꺼운 기판에 준정적 값을 적용하면 epsilon-eff는 엡실론-r 쪽으로 측정 가능하게 올라가며 정적 값은 지연을 예측하지 못합니다.
  • 솔더마스크는 잊어버리세요 — 마스크는 대략 엡실론-r 3.5이며 트레이스 위의 공기를 대체하여 엡실론-에프는 2~ 5% 높이고 Z0는 일반적인 50옴 라인에서 비슷한 양만큼 낮춥니다.

자주 묻는 질문

마이크로스트립은 반만 묻혀 있기 때문입니다.유전율이 1인 트레이스 위로는 자기장의 일부가 공기 중으로 이동하여 평균을 낮춥니다.스트립라인은 유전체로 완전히 둘러싸여 있어 엡실론-eff가 정확히 엡실론-r과 같고 그에 따라 더 느립니다.
4.3 엡실론-r FR-4의 50옴 마이크로스트립은 일반적으로 너비 대 높이 비율에 따라 3.0에서 3.4 사이입니다.트레이스가 넓을수록 기판 안으로 더 많은 자기장이 밀려들어 엡실론-에프가 올라갑니다. 좁은 트레이스는 더 많은 자기장을 공기 중으로 내보내 기판을 낮춥니다.
물리적 길이는 엡실론-에프의 제곱근에 대해 1로 조정됩니다.2.4GHz에서는 여유 공간 쿼터 웨이브가 31.2mm이고, 엡실론-eff가 3.23인 FR-4 마이크로스트립에서는 17.38mm로 축소됩니다.대신 엡실론-r = 4.3을 사용하면 15.06mm가 발생하여 13.3% 의 오차가 발생합니다.
보정 크기는 주파수의 제곱과 기판 높이를 곱한 값입니다.0.2mm 기판에서는 최대 10GHz의 1% 미만이므로 무시해도 됩니다.1.6mm 기판 또는 모든 스택업에서 약 15GHz 이상인 경우 엡실론-eff는 엡실론-r 쪽으로 몇 퍼센트 상승할 수 있으므로 파장이 중요한 구조물에 사용해야 합니다.
q = (엡실론-eff 마이너스 1) 을 (엡실론-r 마이너스 1) 로 나눈 값은 필드 에너지의 몇 분율이 기판 내부에 있는지를 나타냅니다.민감도 분석에 편리합니다. 적층 허용오차가 엡실론-r의 플러스 또는 마이너스 0.2이면 엡실론-eff가 약 q배 0.2만큼 이동하여 지연 및 임피던스 버짓으로 바로 반영됩니다.
네.솔더마스크는 대략 엡실론-r 3.5이며 트레이스 위의 일부 공기를 대체하여 엡실론-에프를 약 2~ 5% 높이고 일반적인 50옴 라인에서 Z0을 비슷한 양만큼 낮춥니다.이 계산기는 베어 마이크로스트립을 모델링합니다. 마스크 라인의 경우 제어 임피던스 계산기의 임베디드 마이크로스트립 모드를 사용하십시오.

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