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MOSFETの電力損失計算ツール
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スラッグ mosfet-power-dissipation。パワーエレクトロニクス設計のMOSFET伝導損失、スイッチング損失、総消費電力、ジャンクション温度、および効率を計算
入力
これらの入力を、表示されている単位ですべて inputs に入れて送ってください。ほとんどは必須で、1 つでも欠けた呼び出しは拒否され(400)、費用はかかりません。省略しても計算できる入力は、表示されている既定値を使います。範囲外の入力も計算され、来歴で示されます。
| 名前 | 単位 | 範囲 | 既定値 | 説明 |
|---|---|---|---|---|
| drainCurrent数値 | A | 0.001 以上 | 5 | MOSFETを流れるRMSドレイン電流 |
| rdson数値 | mΩ | 0.1 以上 | 10 | データシートのドレイン-ソース間オン抵抗 |
| vds数値 | V | 0.1 以上 | 12 | オフ状態時の MOSFET 両端の電圧 (バス電圧) |
| frequency数値 | kHz | 0.1 以上 | 100 | コンバータのスイッチング周波数 |
| riseTime数値 | ns | 0.1 以上 | 20 | ターンオン遷移時の電流立ち上がり時間 |
| fallTime数値 | ns | 0.1 以上 | 20 | ターンオフ遷移時の電流立ち下がり時間 |
| rthJA数値 | °C/W | 1 … 300 | 40 | ジャンクション-周囲間の熱抵抗。TO-220 ヒートシンクなし: 約 60、ヒートシンク付き: 約 10-20、SOT-23: 約 150 |
| tAmbient数値 | °C | −40 … 85 | 25 | 動作環境温度 |
| drainCurrentMin数値 | A | 0 以上 | 0 | 使用条件での最小 RMS ドレイン電流。0 にすると公称値を使います。 |
| drainCurrentMax数値 | A | 0 以上 | 0 | 使用条件での最大 RMS ドレイン電流。0 にすると公称値を使います。ジャンクション温度は最大電流かつ最高周囲温度で求めます。 |
| tAmbientMin数値 | °C | −40 … 150 | 0 | 使用条件での最低周囲温度 (0 °C 未満も可)。0 にすると公称値を使います。 |
| tAmbientMax数値 | °C | −40 … 150 | 0 | 使用条件での最高周囲温度。0 にすると公称値を使います。 |
| rdsonTempco数値 | %/°C | 0 … 2 | 0 | R_DS(on) は R_DS(on)·(1 + α·(T_j − 25 °C)) のように上昇し、その割合は通常 0.35~0.5 %/°C です (M. Keagy, Electronic Design, 2002)。α が 0 より大きい場合、R_DS(on) は 25 °C での値とみなし、それを使ってジャンクション温度を求めます。0 にすると、R_DS(on) はどの温度でも入力値のままです。 |
| qg数値 | nC | 0 … 10000 | 20 | ゲートドライブ電圧での値。ドライバは Q_g·V_g·f_sw を供給し、それを自身で消費するため、ジャンクション温度には含めません。 |
| vGate数値 | V | 1 … 20 | 10 | ゲートドライブ電圧 |
| coss数値 | pF | 0 … 100000 | 0 | そのエネルギー ½·C_oss·V_DS² はハードターンオンのたびにチャネルで失われます (IR AN-1070)。データシートにエネルギー換算の C_o(er) があればその値を入力します。0 にするとこの損失を含めません。 |
出力
values に名前ごとに返されます。上限がない値や定義されない値は null です。
| フィールド | 単位 | 説明 |
|---|---|---|
| conductionLoss | mW | 導通損失 |
| switchingLoss | mW | スイッチング損失 |
| totalLoss主要値 | mW | 総電力損失 |
| junctionTemp | °C | ジャンクション温度 |
| efficiency | % | MOSFETの効率 (1 − P_loss/P_in) |
| junctionTempWorst | °C | ジャンクション温度 (最悪条件) |
| junctionTempWorstCurrent | A | ジャンクション温度最高時のドレイン電流 |
| junctionTempWorstAmbient | °C | ジャンクション温度最高時の周囲温度 |
| junctionTempCoolest | °C | ジャンクション温度 (最低温の条件) |
| totalLossWorst | mW | 総電力損失 (最悪条件) |
| totalLossWorstCurrent | A | 損失最悪時のドレイン電流 |
| efficiencyWorst | % | 効率 (ゲートドライブ込み、最悪条件) |
| efficiencyWorstCurrent | A | 効率最悪時のドレイン電流 |
| drainCurrentWorst | A | 最大ドレイン電流 |
| vdsRating | V | MOSFET ドレイン-ソース間定格電圧 |
| lossConduction | W | T_j での導通損失 |
| lossSwitching | W | スイッチングエッジ損失 |
| lossOutputCap | W | 出力容量損失 |
| lossGateDrive | W | ゲートドライブ損失 |
| lossTotal | W | 総損失 (ゲートドライブ込み) |
| outputPower | W | 入力電力 − 損失 |
| efficiencyLossModel | % | 効率 (ゲートドライブ込み) |