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抵抗単位コンバーター

抵抗をミリオーム、オーム、キロオーム、メガオーム、ギガオームの間で変換します。

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キロオームからオームへ (kΩ から Ω)

1 kΩ = 1 000 Ω →

オームからキロオームへ (Ω から kΩ)

4 700 Ω = 4.7 kΩ →

メグオームからオームへ (MΩ から Ω)

1 MΩ = 1 000 000 Ω →

ミリオームからオームへ (mΩ から Ω)

50 mΩ = 0.05 Ω →

ギガオームからオームへ (GΩ から Ω)

1 GΩ = 1 000 000 000 Ω →

公式

1kΩ=1000Ω,1MΩ=106Ω1 kΩ = 1000 Ω, 1 MΩ = 10⁶ Ω

仕組み

この計算機は、電子エンジニア、回路設計者、およびテストエンジニア向けに、オーム、ミリオーム、キロオーム、メガオーム、ギガオームを変換します。SIパンフレット（BIPM）によると、オームはV/A = kg·m^2/(A^2·s^3), と定義されており、量子ホール抵抗 R_K = h/e^2 = 25,812.80745オームと正確に追跡できます（2019年のSI再定義）。抵抗は15桁に及んでいます。電流シャントはミリオームで (1～100mΩ)、信号抵抗は10～1000オーム)、プルアップはキロオーム (1～100kオーム)、フィードバックネットワークはメガオーム (1～10MΩ)、絶縁試験にはギガオーム (IEC 60664では1Gohm以上必要) です。標準のRFインピーダンスはIEEE 802.3によると50オームで、同軸伝送線路における最小損失（77オーム）と最大電力処理（30オーム）の間の妥協点です。

計算例

問題:10 A モータードライバー用の 50 ミリオームの電流検出抵抗を 0.5% の精度で設計します。電力損失を計算し、適切な部品を選択してください。

解決策: 1。抵抗:50 ミリオーム = 0.050 オーム = 50,000 µΩ

  1. 全電流時の電圧:V = I × R = 10 A × 0.05 オーム = 0.5 V (500 mV)
  2. 電力損失:P = I^2 × R = 100 × 0.05 = 5 W
  3. 精度要件:50 ミリオームの 0.5% = 0.25 ミリオームの許容誤差
  4. 温度係数:摂氏100ppm/C、上昇温度が50℃の場合、ドリフト=50×100e-6×50ミリオーム=0.25ミリオーム (精度バジェットと一致)
  5. 選択:ビシェイ社 WSL2512 (1%、50 ppm/C、1 W)、5 × 250 ミリオーム抵抗のパラレルアレイ搭載で合計電力処理能力 5 W

実践的なヒント

  • ✓Vishay/Bournsアプリケーションノートに記載の電流検出抵抗：許容誤差が0.1～1％の1～100mオームを使用してください。4端子のケルビン設計によりリード抵抗誤差がなくなります。電力ディレーティング:MIL-STD-199に準拠した最大温度で 50% の電力ディレーティング
  • ✓RFインピーダンス規格：50オーム（IEEE 802.3、ほとんどのRF）、75オーム（SMPTE準拠のビデオ/CATV）、93オーム（一部のレガシーARCNET）、100オーム差動（IEEE 802.3に準拠したイーサネット）、120オーム（TIA-485-A準拠のRS-485）。システムインピーダンスを正確に一致させてください。
  • ✓IEC 60664に準拠した絶縁抵抗：クラスI機器が2MΩ以上、クラスIIが乾燥7MΩ/湿度2MΩ以上。テストにはメガオームメーター (500 ～ 1000 VDC) を使用してください。1 MΩ未満は汚染または劣化を示します。

よくある間違い

  • ✗kΩ（10^3オーム）とMΩ（10^6オーム）を混同すると、1000倍も異なります。10 kオームのプルアップは、同じ電源から 1 MΩのプルアップを使用する場合の 100 倍の電流を消費します (3.3 V で 3.3 uA に対して 0.33 mA)。
  • ✗ヨーロッパ表記の読み間違い：4R7 = 4.7オーム（Rは小数点）、4K7 = 4.7キロオーム、4M7 = 4.7メガオーム。IEC 60063によると、回路図では、接頭辞「R」はオームを意味し、「K」はキロオームを意味することがよくあります。
  • ✗ミリオームの測定には4線式（ケルビン）接続を使用しないでください。1線あたり10ミリオームのリード抵抗では、50ミリオームの測定で 40% の誤差が発生します。1 オーム未満の測定には、必ずケルビンクリップを使用してください。

よくある質問

ミリオームレンジは、電流検出抵抗 (ビシェイ/Bournsによると1～100mオーム)、PCBトレース抵抗 (IPC-2152によると1オンス銅の場合は0.5ミリオーム/平方)、接触抵抗 (MIL-STD-1344に従ってリレー/コネクタの場合は1～50mオーム)、およびバッテリ内部抵抗 (リチウムイオンの場合は10〜100mオーム) に表示されます。Rが低いと電力損失が最小限に抑えられます。10A = 10Wの消費電力で100ミリオームです。
1000で割ると、4700オーム = 4.7キロオーム = 0.0047MΩになります。1000 を掛けると逆になります。4.7 キロオーム = 4700 オームIEC 60063に準拠したEシリーズの標準値：E24では 5% の公差値（4.7k、5.1k、5.6k...）、E96は 1% の値（4.70k、4.75k、4.81k...）を示します。
絶縁抵抗は、MΩまたはGΩで指定される、絶縁材料を通る電流漏れを測定します。IEC 60664およびUL 60950によると、1 GΩを超える良好な絶縁性、100MΩを超える場合は許容範囲内、劣化は10MΩ未満です。500 ～ 1000 VDC でテストしてください。表面の汚染、湿気、経年劣化により絶縁抵抗が低下します。傾向を監視してメンテナンスを予知します。
Andrew/コムスコープのアプリケーションノートによると、50オームは最小減衰量（空気誘電体同軸では77オーム）と最大電力処理（30オーム）の間の妥協点です。50 オーム:同軸損失は最小値を 10% 上回り、処理能力は最大値の 80% となり、ほとんどの RF システムに最適です。75 オームのビデオでは、電力が少ないため損失が小さくなります (77 オームに近い)。

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