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커런트 미러 계산기

아날로그 IC 및 바이어스 회로 설계를 위한 전류 미러 출력 전류, 베타 오차, 기준 저항, 전력 소비량, 와이들러 미러 저항을 계산합니다.

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공식

Iout=N×Iref×β/(β+2),Rref=(VCC−VBE)/IrefI_out = N × I_ref × β/(β+2), R_ref = (V_CC − V_BE) / I_ref
I_ref— 기준 전류 (A)
N— 미러 비율
β— 트랜지스터 전류 게인
V_T— 열 전압 (V)
R_W— 와이들러 이미터 저항기 (Ω)

작동 방식

전류 미러 계산기는 아날로그 IC 설계, 전류 소스 및 활성 부하에 필수적인 정밀 바이어스 네트워크의 기준 및 출력 전류를 계산합니다.IC 설계자, 아날로그 엔지니어 및 계측 전문가는 전류 미러를 사용하여 기준 전류를 높은 정확도로 복제합니다.Horowitz & Hill 'Art of Electronics' (제3판, Ch.2) 에 따르면, 기본 BJT 전류 미러는 트랜지스터가 열 결합될 때 기준 전류와 출력 전류가 1~ 5% 일치한다고 합니다.단순 미러는 출력 임피던스 r_o = VA/Ic (초기 전압/컬렉터 전류) 를 가지며, 일반적으로 50kΩ-500kΩ. Wilson 및 캐스코드 미러는 출력 임피던스를 10-100배 개선합니다.MOSFET 미러는 입력 전류가 0인 상태에서도 비슷한 성능을 발휘하지만 1% 정확도를 위해서는 일치하는 임계 전압 (ΔVth < 10mV가 필요합니다.

계산 예제

아날로그 회로 바이어싱을 위한 2N3904 쌍을 사용하여 1mA 전류 미러를 설계합니다.기준 전류 I_ref = 1mA, 공급 Vcc = 12V.레퍼런스 저항: R_ref = (Vcc - Vbe)/I_ref = (12V - 0.7V) /1mA = 11.3kΩ — 선택 11kΩ (E24 시리즈). β = 200의 경우 베이스 전류가 도약합니다. I_b = 2×1mA/200 = 10μA, 로 인해 1% 미러 오류가 발생합니다.정확도를 높이려면 이미터 디제너레이션 저항 Re = 100Ω (100mV 드롭) 을 추가하십시오. 이렇게 하면 Vbe 불일치에 대한 민감도가 (1 + gm×Re) = 5배 감소하여 매칭이 2% 에서 0.4% 로 향상됩니다.출력 임피던스: r_o = VA/Ic = 100V/1mA = 100kΩ. 컴플라이언스 범위: Vce > 0.3V (채도) ~ Vcc - 0.7V.

실용적인 팁

  • ✓1% 미만의 정확도를 요구하는 전류 미러에는 일치하는 트랜지스터 쌍 (MAT12:0.5mV Vbe 정합, 0.5% β 일치) 을 사용하십시오. 개별 2N3904 쌍은 2-5% 의 정합만 달성합니다.
  • ✓이미터 디제너레이션 Re = 0.1V/Ic를 추가하면 매칭이 5배 향상됩니다. 전압 강하로 인해 Vbe 변동에 대한 민감도가 감소합니다.
  • ✓높은 출력 임피던스의 경우 하이 게인 앰프 바이어싱에 필수적인 단순 미러 (100kΩ); 대신 캐스코드 미러 (10MΩ+) 또는 윌슨 미러 (5MΩ+) 를 사용하십시오.

흔한 실수

  • ✗열 커플링 없이 개별 트랜지스터 사용 — 2mV/°C Vbe 차이로 인해 8% /°C 미러 오류가 발생합니다. 트랜지스터를 PCB에 인접하게 장착하거나 일치하는 쌍 (MAT12, SSM2212) 을 사용하십시오.
  • ✗초기 효과 무시 — 단순한 미러에는 r_o = VA/Ic가 있습니다. 부하 전압 변화로 인해 1~ 5% 의 전류 변동이 발생합니다.100배 더 높은 출력 임피던스를 원하신다면 윌슨 미러를 사용하세요.
  • ✗기본 전류 오류를 잊어버림 — 단순 BJT 미러에 오류가 있습니다 = 2/β; at β = 100 이것은 2% 오류입니다.윌슨 미러는 오류를 2/β² = 0.02% 로 줄입니다.

자주 묻는 질문

높은 정확도와 높은 출력 임피던스로 기준 전류를 다른 회로 브랜치에 복제합니다.애플리케이션: 연산 증폭기의 바이어스 전류 분포, 차동 쌍의 활성 부하, DAC의 기준 전류 소스.Gray & Meyer '아날로그 집적 회로 분석 및 설계'에 따르면 아날로그 IC의 90% 가 전류 미러를 사용합니다.
최상의 결과를 얻으려면 일치하는 트랜지스터 (동일한 다이 (IC) 의 동일한 유형 또는 일치하는 쌍 패키지가 필요합니다.디스크리트 트랜지스터는 부품 번호가 같고 제조업체 로트가 동일해야 하며 열적으로 결합되어 있어야 합니다.MOSFET 미러에는 1% 정확도에 ΔVth < 10mV가 필요하고, BJT 미러에는 ΔVbe < 2mV가 필요합니다.
Vbe/Vth 불일치 (BJT의 경우 ±2mV = ± 8%), β 불일치 (윌슨의 경우 ± 20% = ± 1% 오차), 초기 효과 (1-5% 부하 의존 오차), 온도 기울기 (BJT의 경우 2mV/°C = 8% /°C).통합된 매칭 쌍은 0.5% 미만의 매칭을 달성하며, 이산 회로는 트리밍 없이 2-5% 의 매칭을 달성합니다.
BJT의 경우: 이미터 면적 비율 또는 여러 트랜지스터를 병렬로 사용하십시오.두 개의 병렬 출력 트랜지스터는 2배의 전류를 공급합니다.MOSFET의 경우: W/L 비율을 사용하십시오. 출력 W/L = 2배 레퍼런스 W/L은 2배의 전류를 제공합니다.이미터/소스 디제너레이션 저항은 전류 비율에 반비례하여 스케일링해야 매칭을 유지할 수 있습니다.

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