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PCB 파워 플레인 임피던스 계산기

PDN 설계를 위한 PCB 파워 플레인 임피던스, 커패시턴스, 인덕턴스 및 공진 주파수를 계산합니다.전력 공급 네트워크를 최적화하세요.무료로 즉시 결과를 얻을 수 있습니다.

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공식

C=εrε0Ad,L=μ0dlw,XL=2πfL,fmn=c2εr(ml)2+(nw)2C = \frac{\varepsilon_r \varepsilon_0 A}{d},\quad L = \mu_0 d \frac{l}{w},\quad X_L = 2\pi f L,\quad f_{mn} = \frac{c}{2\sqrt{\varepsilon_r}}\sqrt{\left(\frac{m}{l}\right)^2 + \left(\frac{n}{w}\right)^2}

참고: Swaminathan & Engin, Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems (cavity resonances of a rectangular plane pair); Novak & Miller, Frequency-Domain Characterization of Power Distribution Networks; Bogatin, Signal and Power Integrity — Simplified (sheet inductance of a plane pair, μ0·h per square)

εr— 유전 상수
A— 플레인 면적 (m²)
d— 유전체 두께 (m)
μ0— 진공 투자율 (μ0·d는 스퀘어당 시트 인덕턴스) (H/m)
l/w— 플레인 길이 ÷ 폭: 전류 경로를 따른 스퀘어 수
f_mn— 모드 TMmn의 캐비티 공진 주파수: 길이 l 방향으로 m개, 너비 w 방향으로 n개의 반파장 (TM₁₀: m = 1, n = 0) (Hz)
c— 진공에서의 빛의 속도, 299 792 458 m/s (m/s)

작동 방식

파워 플레인 임피던스 계산기는 길이 ll, 너비 ww, 간격 dd 인 전원-그라운드 플레인 쌍을 평행판 구조로 다룹니다. 플레인 커패시턴스, 길이 방향으로 흐르는 전류에 대한 플레인 인덕턴스, 지정한 주파수에서 그 인덕턴스의 리액턴스, 그리고 플레인 쌍의 첫 캐비티 공진인 TM₁₀과 TM₀₁을 계산합니다. 커패시턴스는 C=ε0εrlw/dC = \varepsilon_0 \varepsilon_r l w / d 로, 기본값인 100 × 80 mm, 유전체 두께 0.1 mm(εr=4.4\varepsilon_r = 4.4) 플레인 쌍에서는 3.117 nF, cm²당 약 38.96 pF입니다. 간격을 절반으로 줄이면 커패시턴스는 두 배가 됩니다.

플레인 쌍에는 스퀘어당 μ0d\mu_0 d 의 시트 인덕턴스도 있습니다. 간격 1 mm당 1.2566 nH, 0.1 mm에서는 스퀘어당 125.66 pH입니다. 전류가 한 변에서 반대편 변으로 균일하게 흐를 때 인덕턴스는 L=μ0d l/wL = \mu_0 d \, l / w 로, 시트 인덕턴스에 경로를 따른 스퀘어 수 l/wl/w 를 곱한 값입니다. 이 값은 간격과 종횡비로 정해지며 면적과는 무관합니다. 기본값에서는 0.15708 nH이고, 그 리액턴스 XL=2πfLX_L = 2\pi f L 은 100 MHz에서 98.70 mΩ입니다. 이 리액턴스는 첫 공진보다 충분히 낮은 주파수에서만 플레인을 나타내며, 디바이스가 플레인 위의 한 점에서 보는 임피던스도 아닙니다.

인덕턴스와 커패시턴스는 집중 정수 LC 회로가 아닙니다. 플레인 쌍은 분포 정수 구조, 즉 2차원 전송선로이며, 한 변의 길이가 유전체 내 반파장의 정수배가 될 때 공진합니다. 가장자리가 개방된 경우 직사각형 플레인 쌍의 공진 주파수는 fmn=c2εr(m/l)2+(n/w)2f_{mn} = \frac{c}{2\sqrt{\varepsilon_r}}\sqrt{(m/l)^2 + (n/w)^2} 입니다(Swaminathan과 Engin, Novak). TM₁₀은 길이 방향의 반파장, TM₀₁은 너비 방향의 반파장이며, 기본값에서는 각각 714.6 MHz와 893.3 MHz입니다. 둘 중 낮은 쪽, 즉 긴 변 방향의 반파장이 첫 공진입니다. 간격 dd 는 식에 나타나지 않으므로 유전체를 얇게 해도 모드는 이동하지 않습니다. LL 과 CC 를 집중 정수 회로로 취급하면 1/(2πLC)=c/(2πlεr)1/(2\pi\sqrt{LC}) = c/(2\pi l \sqrt{\varepsilon_r}) 가 되어 π배만큼 너무 낮은 값, 이 예에서는 227.5 MHz가 나옵니다.

캐비티 공진이 PDN 설계에서 중요한 이유는 플레인 사이의 임피던스가 각 공진에서 피크가 되기 때문입니다. 이것이 반공진이며, 이때 플레인 쌍은 더 이상 커패시터처럼 동작하지 않습니다. 각 모드에는 정재파 전압 분포가 있어 플레인의 가장자리와 모서리에서 가장 크고 마디선에서는 0이 됩니다. TM₁₀의 경우 길이의 중앙을 가로지르는 선이 마디선입니다. 마디선 위의 커패시터는 그 모드를 감쇠시킬 수 없지만, 가장자리와 모서리 근처의 커패시터는 감쇠시킬 수 있습니다. 임피던스를 얼마나 낮게 유지해야 하는지는 레일의 목표 임피던스 Ztarget=ΔV/ΔIZ_{target} = \Delta V / \Delta I 가 정합니다. 5 %(50 mV)의 변동이 허용되는 1.0 V 레일에 2 A의 과도 전류가 흐르면 25 mΩ이 필요합니다. 실장된 디커플링 커패시터가 실장 인덕턴스로 제한되는 대역부터 대략 첫 캐비티 공진까지는 플레인이 그 역할의 대부분을 맡습니다. 그보다 위에서는 PDN 임피던스 도구로 모드와 커패시터를 함께 모델링하세요.

계산 예제

문제: 4층 기판에 80 × 60 mm 전원-그라운드 플레인 쌍이 있고 플레인 사이에 0.1 mm FR-4(εr=4.3\varepsilon_r = 4.3)가 있습니다. 플레인 커패시턴스, 플레인 인덕턴스와 100 MHz에서의 리액턴스, 그리고 첫 캐비티 공진을 구합니다.

풀이:

  1. 플레인 커패시턴스: C=ε0εrlw/dC = \varepsilon_0 \varepsilon_r l w / d = 8.8542e-12 × 4.3 × 0.08 × 0.06 / 0.1e-3 = 1.8275 nF
  2. 플레인 인덕턴스: 시트 인덕턴스 μ0d\mu_0 d 는 스퀘어당 125.66 pH이고, 80 mm 길이를 따른 경로는 80/60 = 1.33 스퀘어이므로 L=μ0d l/wL = \mu_0 d \, l / w = 167.55 pH
  3. 100 MHz에서의 리액턴스: XL=2πfLX_L = 2\pi f L = 2π × 100e6 × 167.55e-12 = 105.28 mΩ
  4. TM₁₀, 80 mm 길이 방향의 반파장: f10=c/(2lεr)f_{10} = c / (2 l \sqrt{\varepsilon_r}) = 299792458 / (2 × 0.08 × 2.0736) = 903.6 MHz
    1. TM₀₁, 60 mm 너비 방향의 반파장: f01=c/(2wεr)f_{01} = c / (2 w \sqrt{\varepsilon_r}) = 1204.8 MHz. 첫 캐비티 공진은 긴 변 방향의 TM₁₀으로, 903.6 MHz입니다.
      1. 비교하면, 집중 정수 추정값 1/(2πLC)1/(2\pi\sqrt{LC}) 는 287.6 MHz로 정확히 π배 낮습니다. 플레인 쌍이 집중 정수 LC 회로가 아니기 때문입니다.

        분석: 500 MHz에서 플레인 커패시턴스의 리액턴스는 1/(2πfC)1/(2\pi f C) = 174.2 mΩ으로 25 mΩ 목표의 약 7배이므로, 이 플레인 쌍만으로는 500 MHz에서 그 목표를 만족할 수 없습니다. 903.6 MHz보다 충분히 낮은 주파수에서 플레인은 하나의 커패시터로 동작합니다. 903.6 MHz에서는 공진하며, 임피던스는 TM₁₀ 전압이 가장 큰 두 개의 60 mm 가장자리를 따라 피크가 되고, 길이의 중앙을 가로지르는 선에서는 그 모드의 영향이 없습니다. 이 모드가 레일이 감당해야 하는 대역 안에 들어오는지, 그리고 모드를 감쇠시키려면 커패시터를 어디에 둘지가 이 수치로 판단할 내용입니다.

실용적인 팁

  • ✓전원 플레인과 그라운드 플레인 사이에는 얇은 유전체를 사용하세요. 간격을 절반으로 줄이면 커패시턴스는 두 배, 시트 인덕턴스는 절반이 되므로 두 리액턴스 모두 절반으로 줄어듭니다. 기본값인 100 × 80 mm 플레인 쌍은 0.1 mm에서 3.117 nF와 157.08 pH였던 것이 0.05 mm에서는 6.233 nF와 78.54 pH가 됩니다. 캐비티 공진은 그대로입니다.
  • ✓첫 캐비티 공진을 레일이 목표 임피던스 이하로 유지되어야 하는 가장 높은 주파수와 비교하세요. 모드가 그 대역 안에 있으면 플레인의 가장자리와 모서리 근처에 디커플링 커패시터를 몇 개 배치해 감쇠시키고, PDN 임피던스 도구로 결과를 확인하세요. 플레인을 작게 하면 모드가 위로 이동합니다. 첫 공진은 긴 변의 길이에 반비례하기 때문입니다.
  • ✓구리 아일랜드는 각각 별개의 캐비티로 취급하세요. 분할된 플레인이나 큰 컷아웃이 있는 플레인은 각 부분의 길이와 너비로 정해지는 고유한 모드로 공진하므로, 기판 전체가 아니라 부분마다 계산기로 계산하세요.

흔한 실수

  • ✗플레인 커패시턴스와 플레인 인덕턴스로 구한 1/(2πLC)1/(2\pi\sqrt{LC}) 를 플레인의 공진으로 제시하는 것. 플레인 쌍은 집중 정수 LC 회로가 아니라 분포 정수 캐비티입니다. 이 식은 c/(2πlεr)c/(2\pi l \sqrt{\varepsilon_r}) 로 정리되어 실제 첫 공진 c/(2lεr)c/(2 l \sqrt{\varepsilon_r}) 보다 π배 낮습니다. 80 × 60 mm FR-4 플레인 쌍의 경우 이 식은 287.6 MHz를 예측하지만, 실제 플레인은 903.6 MHz에서 공진합니다.
  • ✗유전체를 얇게 하면 플레인 공진이 이동할 것이라고 기대하는 것. 캐비티 모드는 길이, 너비, εr\varepsilon_r 에만 의존합니다. 기본값인 100 × 80 mm에서 간격이 0.05 mm이든 0.2 mm이든 TM₁₀은 714.6 MHz 그대로입니다. 유전체를 얇게 하면 커패시턴스가 커지고 플레인의 임피던스가 낮아지며 도체 손실이 공진 피크를 더 강하게 감쇠시키지만, 모드를 옮기는 것은 플레인의 치수뿐입니다.
  • ✗디커플링 커패시터를 어디에 두어도 캐비티 공진을 억제할 수 있다고 가정하는 것. 모드의 전압이 0인 마디선 위의 커패시터는 그 모드에 아무 영향을 주지 못합니다. TM₁₀은 길이의 중앙을 가로지르는 선에서 0이고 너비 ww 인 두 가장자리를 따라 가장 큽니다. 모든 모드의 전압이 가장 큰 가장자리와 모서리 근처의 커패시터가 모드를 감쇠시킵니다. 측정도 마찬가지로, 플레인 중앙의 프로브에는 TM₁₀도 TM₀₁도 전혀 보이지 않습니다.

자주 묻는 질문

네 가지입니다. 면적과 간격이 커패시턴스 C = ε0·εr·l·w/d를 정합니다. 간격과 종횡비가 인덕턴스 L = μ0·d·l/w를 정하며, 이는 면적과 무관합니다. 유전율은 커패시턴스를 높이고 모든 캐비티 공진을 1/√εr에 비례하여 낮춥니다. 길이와 너비가 캐비티 공진을 정하며, 간격은 여기에 영향을 주지 않습니다. 기본값인 100 × 80 mm, 0.1 mm(εr 4.4) 플레인 쌍에서 계산기는 3.117 nF, 0.15708 nH, 첫 캐비티 공진 714.6 MHz를 제공합니다.
레일의 목표 임피던스 Z_target = ΔV/ΔI, 즉 허용 리플을 최대 과도 전류로 나눈 값보다 낮아야 합니다. 5 %(50 mV)의 변동이 허용되는 1.0 V 레일에 2 A의 과도 전류가 흐르면 25 mΩ이 필요합니다. 플레인 커패시턴스만으로 이를 만족하는 경우는 드뭅니다. 기본값 3.117 nF의 리액턴스는 100 MHz에서 510.7 mΩ입니다. 플레인이 중요한 이유는 실장 커패시터가 더 이상 도움이 되지 않는 대역에서, 대략 첫 캐비티 공진까지, 매우 작은 인덕턴스로 전류를 공급하기 때문입니다.
전원-그라운드 플레인 쌍은 캐비티입니다. 가장자리가 개방된 경우, 길이나 너비가 유전체 내 반파장의 정수배가 될 때 f_mn = c/(2√εr)·√((m/l)² + (n/w)²)에서 공진합니다. 첫 모드는 긴 변 방향의 반파장으로, 기본값인 100 × 80 mm 플레인 쌍에서는 TM₁₀이 714.6 MHz이고 너비 방향의 TM₀₁은 893.3 MHz입니다. 각 모드에서 플레인 사이의 임피던스는 그 모드의 전압이 큰 곳, 주로 가장자리와 모서리에서 피크가 되므로, 그 주파수의 노이즈가 그곳에서 증폭되고 플레인 가장자리에서 방사됩니다.
L과 C는 두 개의 별개 부품이 아니라 하나의 분포 정수 구조를 나타내기 때문입니다. 스퀘어당 시트 인덕턴스 μ0·d와 단위 면적당 커패시턴스 ε0·εr/d는 2차원 전송선로의 파라미터입니다. 플레인 전체에 대해 이 둘을 곱하면 L·C = μ0·ε0·εr·l²이므로 1/(2π√(LC)) = c/(2π·l·√εr), 즉 반파장 공진 c/(2·l·√εr)을 π로 나눈 값이 됩니다. 기본 플레인에서는 실제 714.6 MHz에 대해 227.5 MHz입니다. 그래도 인덕턴스 자체는 유용합니다. 플레인을 가장자리에서 가장자리로 가로지르는 전류의 루프 인덕턴스이며, 그 리액턴스 ωL은 첫 공진보다 충분히 낮은 주파수에서 플레인이 그런 전류를 얼마나 방해하는지 보여 줍니다.
네, 두 가지 면에서 그렇습니다. 종횡비가 스퀘어 수를 정하므로, 길이가 너비의 두 배인 플레인은 너비가 길이의 두 배인 플레인보다 가장자리 간 인덕턴스가 네 배입니다. 치수는 캐비티 모드도 정합니다. 긴 변이 첫 공진을 정하며, 정사각형 플레인은 TM₁₀과 TM₀₁이 같은 주파수에 있고 100 × 100 mm FR-4(εr 4.3)에서는 722.9 MHz입니다. L자형 플레인, 컷아웃, 분할에는 직사각형 모델로는 포착할 수 없는 고유한 모드가 있으며, 이를 위해서는 2차원 전자기장 솔버가 필요합니다.

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